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반도체 소자의 범프 제조 방법에 있어서,기판 상의 적어도 일영역에 금속 패드를 형성하는 단계;상기 금속 패드의 적어도 일영역을 노출시키며, 상기 기판 상에 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 금속 패드 및 상기 패시베이션층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 금속 패드 상에 형성된 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;상기 금속 패드와 상기 포토레지스트층 상에 확산방지층을 형성하는 단계;상기 확산방지층 상에 씨드금속층을 형성하는 단계;상기 씨드금속층 상에 범프를 형성하는 단계;상기 씨드금속층 하부에 형성된 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 범프 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 수행하기 전에, 상기 확산방지층 및 씨드금속층 중 상기 포토레지스트층과 상기 범프 사이에 개재되지 않는 상기 확산방지층 및 상기 씨드금속층을 제거하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 범프 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 포토레지스트층을 제거한 다음, 상기 범프의 측벽에 남아있는 상기 확산방지층을 제거하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 범프 제조방법
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제3항에 있어서,상기 확산방지층 및 상기 씨드금속층을 제거하는 단계에서는 습식 에칭을 이용하는 반도체 소자의 범프 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 포토레지스트층을 제거하는 단계에서는 상기 포토레지스트층 상에 형성된 상기 확산방지층, 상기 씨드 금속층 및 상기 범프를 모두 제거하는 반도체 소자의 범프 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계에서는 리프트오프(lift-off) 공정을 이용하는 반도체 소자의 범프 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 범프와 상기 씨드금속층을 형성하는 단계에서는 상기 범프와 상기 씨드금속층을 동일한 금속으로 형성하는 반도체소자의 범프 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 범프는 금속(Au)으로 형성되는 반도체 소자의 범프 제조방법
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