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집적소자 제조 방법에 있어서, 기판을 선택적으로 식각하여 상기 기판 내에 다수의 제1 트렌치를 형성하는 제1 단계; 및 상기 제1 트렌치 입구를 덮는 제1 유전체막을 형성하여, 상기 제1 유전체막과 상기 제1 트렌치 사이에 공기층을 형성하는 제2 단계 를 포함하는 집적소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 단계 후, 이웃하는 상기 제1 트렌치 입구 사이의 상기 기판 및 상기 제1 트렌치 바닥의 상기 기판을 산화시키는 제3 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제2 단계 후, 상기 제1 유전체막 상에 제2 유전체막을 형성하는 제4 단계; 상기 제2 유전체막 및 상기 제1 유전체막을 선택적으로 식각하여, 상기 다수의 제1 트렌치 중 일부의 제1 트렌치를 노출시키는 개구부를 형성하는 제5 단계; 이웃하는 상기 제1 트렌치 입구 사이의 기판 및 상기 제1 트렌치의 바닥과 상기 제1 유전체막을 습식식각하여 상기 제1 트렌치보다 폭이 큰 제2 트렌치를 형성하는 제6 단계; 및 상기 제2 트렌치 입구를 덮는 제3 유전체막을 형성하여 상기 제2 트렌치 내에 공기층을 형성하는 제7 단계를 더 포함하는 집적소자 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 제1 유전체막 및 상기 제3 유전체막 각각을 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제2 유전체막을 질화막 또는 다결정 실리콘막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘막은 상기 기판과 반대 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제2 단계 후, 또는 상기 제7 단계 후, 상기 다수의 제1 트렌치 또는 상기 제2 트렌치 상에 인덕터를 형성하는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조 방법
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집적소자에 있어서, 기판; 상기 기판 내에 형성된 트렌치; 상기 트렌치 입구 주변의 상기 기판 및 상기 트렌치의 입구를 덮는 제1 유전체막; 및 상기 트렌치 및 상기 제1 유전체막 사이에 형성된 공기층 을 포함하는 집적소자
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9
제 8 항에 있어서, 상기 트렌치는 적어도 한 개인 것을 특징으로 하는 집적소자
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10
제 8 항에 있어서, 상기 트렌치는 격자구조를 이루는 다수의 트렌치인 것을 특징으로 하는 집적소자
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11
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 트렌치의 측벽 및 바닥은 산화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 소자
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12
제 11 항에 있어서, 상기 트렌치 영역 상에 형성된 인덕터 또는 금속 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적소자
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