| 1 |
1
일부 영역이 식각되어 트렌치 골이 형성된 평면 기판;
상기 평면 기판 표면에 전기적 단절을 위해 형성된 보호층;
상기 평면 기판의 돌출면 영역의 상기 보호층 위에 형성된 감지 전극으로 이루어진 센서 구조체; 및
상기 감지 전극에 접하고, 상기 감지 전극 사이의 트렌치 골의 공중에 부양되어 형성되고, 특정 물질과 선택적으로 상호 작용하여 전기전도도가 변화되는 나노선 감지소재를 포함하고,
상기 센서 구조체는 상기 센서 구조체의 상기 트렌치 골이 친수성 성질을 갖고, 상부 평면이 소수성 특성을 갖으며, 상기 나노선 감지소재의 표면 개질을 위한 표면 개질 용액이 상기 트랜치 골 내부를 따라서 자발적으로 흐르도록 형성됨을 특징으로 하는 표면 개질형 나노선 센서
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 센서 구조체는 상기 보호층 상부에 전극과 전극 사이의 거리가 0
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,
상기 감지 전극은 상기 나노선 감지소재의 전기전도도 변화를 감지하고, 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 타이타늄 질화물(TiN), 텅스텐(W), 다결정 실리콘(p-Si) 중 하나의 물질로 형성됨을 특징으로 하는 표면 개질형 나노선 센서
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 나노선 감지소재는 나노선 분자가 나노선 용액에 녹아 있고, 상기 나노선 용액을 상기 감지 전극 위에 선택적으로 떨어뜨려 건조하는 방식에 의해 원하는 위치에 형성됨을 특징으로 하는 표면 개질형 나노선 센서
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,
상기 나노선 감지소재는 폭이 1~500nm이고, 길이가 1um 이상인 나노선 구조를 갖는 탄소, 실리콘, 텅스텐 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 티탄늄 산화물 또는 아연 산화물 중 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 표면 개질형 나노선 센서
|
| 7 |
7
평면 기판의 일면에 트렌치 구조를 갖는 센서 구조체를 형성하는 단계;
상기 센서 구조체에 형성된 감지 전극 상부에 나노선 감지소재를 위치시키는 단계; 및
상기 센서 구조체에 형성된 트렌치 골에 화학 반응물이 녹아있는 표면 개질 용액을 흘려보내 상기 나노선 감지 소재의 표면을 개질시키는 단계를 포함하며,
특정 물질과 선택적으로 상호 작용하여 전기전도도가 변화되도록 상기 나노선 감지소재를 상기 감지 전극에 접하게 하고, 상기 감지전극 사이의 트렌치 골의 공중에 부양시켜 물질의 농도를 감지하는 표면 개질형 나노선 센서를 제작함을 특징으로 하는 표면 개질형 나노선 센서 제작 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 트렌치 구조를 갖는 센서 구조체를 형성하는 단계는,
상기 평면 기판의 일면에 식각 보호층을 균일한 두께로 형성하는 단계;
상기 평편 기판의 전면에 포토리지스터를 코팅하는 단계;
상기 포토마스크 및 UV 광원을 이용하여 원하는 패턴을 포토리지스터에 형성하여 식각 보호층을 식각하는 단계;
상기 형성된 패턴에 따라 식각된 식각 보호층의 영역에 접하는 평면 기판의 영역을 식각하여 상기 트렌치 골을 형성하는 단계;
남아 있는 포토리지스터를 상기 평면 기판에서 제거하는 단계;
남아 있는 식각 보호층 및 상기 트렌치 골에 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 보호층의 일부 영역에 감지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 개질형 나노선 센서 제작 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 나노선 감지소재를 위치시키는 단계는,
상기 나노선 소재를 분리 및 정제한 나노선 분자를 나노선 용액에 분산시키는 단계;
상기 나노선 용액을 두 개 이상의 상기 감지 전극이 쌍으로 존재하는 감지 영역에 선택적으로 떨어뜨리는 단계; 및
상기 나노선 분자만이 남도록 상기 나노선 용액을 건조시켜 상기 나노선 분자를 원하는 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 개질형 나노선 센서 제작 방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,
상기 나노선 감지 소재의 표면을 개질시키는 단계는, 상기 센서 구조체의 상기 트렌치 골이 친수성 성질을 갖고, 상부 평면이 소수성 특성을 갖는 경우, 상기 트랜치 골 내부를 따라서 자발적으로 흐르도록 상기 표면 개질 용액을 흘려보냄을 특징으로 하는 표면 개질형 나노선 센서 제작 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,
상기 나노선 감지소재는 폭이 1~500nm이고, 길이가 1um 이상인 나노선 구조를 갖는 탄소, 실리콘, 텅스텐 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 티탄늄 산화물 또는 아연 산화물 중 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 표면 개질형 나노선 센서 제작 방법
|
