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동적 전류 주입에 의한 하향 광신호를 재활용하는 반도체광 증폭기 및 그 구동장치

  • 기술번호 : KST2015099981
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 동적 전류 주입에 의한 하향 광신호를 재활용하는 반도체 광 증폭기 및 그 구동장치에 관한 것으로, 입력 광신호를 반사하는 반사면 및 상기 반사면의 일측면에 위치하고 상기 입력 광신호의 극성과 반전된 신호가 주입되는 후면부와 상기 후면부의 타측면에 위치하고 상기 입력 광신호를 상기 후면부로 통과시키고 상기 반사면으로부터 반사된 입력 광신호를 출력 광신호로 변조하는 신호가 주입되는 전면부로 구성된 광증폭형 반도체로 구성되어 있으며 반사형 반도체 광 증폭기(RSOA : Reflective Semiconductor Optical Amplifier)의 입력 광신호 압축(Amplitude Squeezing)효과를 이용한 하향 광신호 재활용 방식을 기반으로 한 파장다중 수동형 광네트워크(WDM-POM : Wavelength Division Multiplexing-passive optical network)에서 현실적으로 입력 광신호를 충분히 압축하여 광신호의 소광비를 축소한다.동적 전류주입, 광신호, 반도체 광 증폭기
Int. CL H04B 10/291 (2013.01) H04B 10/25 (2013.01) H04B 10/00 (2013.01) H04B 10/2581 (2013.01)
CPC
출원번호/일자 1020060102456 (2006.10.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0108422 (2007.11.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060002386   |   2006.01.09
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.20)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병휘 대한민국 대전 유성구
2 박만용 대한민국 광주 북구
3 조승현 대한민국 대전 서구
4 이우람 대한민국 대전 유성구
5 이지현 대한민국 대전 서구
6 정건 대한민국 광주 광산구
7 김철영 대한민국 광주 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0759631-90
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
입력 광신호를 반사하는 반사면; 및상기 반사면의 일측면에 위치하고 상기 입력 광신호의 극성과 반전된 제1신호 및 상기 반사면을 통해 반사된 입력 광신호를 출력 광신호로 변조하는 제2신호가 결합되어 주입되는 광증폭형 반도체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 액티브 영역을 갖는 반사형 반도체 광 증폭기
2 2
입력 광신호를 반사하는 반사면; 및상기 반사면의 일측면에 위치하고 상기 입력 광신호의 극성과 반전된 신호가 주입되는 후면부와 상기 후면부의 타측면에 위치하고 상기 입력 광신호를 상기 후면부로 통과시키고 상기 반사면으로부터 반사된 입력 광신호를 출력 광신호로 변조하는 신호가 주입되는 전면부로 구성된 광증폭형 반도체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 두 개의 액티브 영역을 갖는 반사형 반도체 광 증폭기
3 3
입력 광신호의 극성과 반전된 신호가 주입되어 상기 입력 광신호의 진폭을 평탄화하는 제1액티브 영역;상기 제1액티부 영역의 일측면에 위치하고 DC 전류가 주입되어 상기 제1액티부 영역을 통과한 상기 입력 광신호를 광 증폭하는 제2액티브 영역; 및상기 제2액티브의 타측면에 위치하고 상기 제2액티브 영역을 통과한 상기 입력 광신호를 출력 광신호로 변조하는 신호가 주입되는 제3액티브 영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 세 개의 액티브 영역을 갖는 반도체 광 증폭기
4 4
제 3 항에 있어서,상기 세 개의 액티브 영역을 갖는 반도체 광 증폭기의 제1액티브 영역과 제3액티브 영역의 타측면 각각에 Spot Size Converting(SSC) 영역이 부가된 것을 특징으로 하는 세 개의 액티브 영역을 갖는 반도체 광 증폭기
5 5
입력 광신호를 제1신호와 제2신호로 분기하여 출력하는 분배기;상기 제2신호를 반사면을 통해 반사하고 상기 제2신호의 극성과 반전된 신호 및 상기 반사면을 통해 반사된 제2신호를 출력 광신호로 변조하는 신호가 결합되어 주입되는 단일 액티브 영역을 갖는 반사형 반도체 광 증폭기;상기 제1신호를 전류신호로 변환하는 데이터 PD부;상기 데이터 PD부에서 전달된 전류신호를 증폭하여 전압신호로 변환하는 전송 증폭부;상기 전송 증폭부에서 전달된 상기 제1신호와 극성이 반전된 전압신호를 상기 제2신호의 광진폭을 평탄화하기 적합한 레벨의 평탄화 신호로 증폭하는 RF 증폭부;상기 RF 증폭부에서 전달된 평탄화 신호를 상기 제2신호의 타이밍에 맞추어 출력시간을 지연하는 RF 지연부; 및상기 RF 지연부에서 전달된 평탄화 신호와 상기 제2신호를 출력 광신호로 변조하는 신호를 결합하여 상기 반사형 반도체 광 증폭기의 단일 액티브 영역에 주입하는 신호 결합기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 구동 장치
6 6
제 5 항에 있어서,상기 전송 증폭부에서 전달된 전압신호를 재증폭하여 상기 RF 증폭부로 전달하는 제한 증폭부가 더 포함된 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 구동 장치
7 7
제 5 항에 있어서,상기 RF 지연부는 상기 상기 RF 증폭부에서 전돨된 평탄화 신호를 상기 제2신호가 최적으로 평탄화되도록 출력시간을 지연하는 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 구동 장치
8 8
제 5 항에 있어서,상기 반사형 반도체 광 증폭기는 입력 광신호를 반사하는 반사면과 상기 반사면의 일측면에 위치하고 상기 입력 광신호의 극성과 반전된 신호가 주입되는 후면부와 상기 후면부의 타측면에 위치하고 상기 입력 광신호를 상기 후면부로 통과시키고 상기 반사면으로부터 반사된 입력 광신호를 출력 광신호로 변조하는 신호가 주입되는 전면부로 구성된 증폭형 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 두 개의 액티브 영역을 갖는 반사형 반도체 광 증폭기이고 상기 RF 지연부에서 전달된 평탄화 신호는 상기 두 개의 액티브 영역을 갖는 반사형 반도체 광 증폭기으 후면부에 주입되고 상기 제2신호를 출력 광신호로 변조하는 신호는 상기 두 개의 액티브 영역을 갖는 반사형 반도체 광 증폭기의 전면부에 주입되는 것을 특징으로 하는 반사형 반도체 광 증폭기 구동 장치
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101563867 CN 중국 FAMILY
2 JP04876172 JP 일본 FAMILY
3 JP22507313 JP 일본 FAMILY
4 KR100809436 KR 대한민국 FAMILY
5 KR100875922 KR 대한민국 FAMILY
6 KR100922727 KR 대한민국 FAMILY
7 US07679819 US 미국 FAMILY
8 US08644711 US 미국 FAMILY
9 US20070183788 US 미국 FAMILY
10 US20110026923 US 미국 FAMILY
11 WO2008047996 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101563867 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101563867 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2010507313 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2010507313 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2010507313 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP4876172 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 KR100809436 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
8 KR100875922 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
9 KR100922727 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
10 KR20070074472 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
11 KR20080082828 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
12 KR20090004121 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
13 US2007183788 US 미국 DOCDBFAMILY
14 US2011026923 US 미국 DOCDBFAMILY
15 US7679819 US 미국 DOCDBFAMILY
16 US8644711 US 미국 DOCDBFAMILY
17 WO2008047996 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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