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내부에 검출회로를 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 표면에 일부 영역에 배치된 반사막;상기 반사막의 양측의 상기 반도체 기판의 표면에 상기 반사막과 이격되어 위치하는 금속패드; 및상기 반사막의 표면으로부터 적외선 파장(λ)/4만큼의 공간을 이루며 상기 반도체 기판의 상부에 위치하는 센서구조체를 포함하며,상기 센서구조체는 다결정화된 불순물이 도핑된 실리콘(Si) 또는 실리콘게르마늄(Si1-xGex, x=0
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제2항에 있어서, 상기 적외선 파장(λ)은 8-12 ㎛인 것을 특징으로 하는 볼로미터
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제2항에 있어서, 상기 제1 절연막은 열전도도가 낮은 산화실리콘(SiO2)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼로미터
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제2항에 있어서, 상기 제2 및 제3 절연막은 산화실리콘(SiO2) 및 질화실리콘(Si3N4) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼로미터
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제2항에 있어서, 상기 전극은 알루미늄(Al), 타이타늄텅스텐(TiW) 및 니켈크롬(NiCr) 중에 선택된 어느 하나로 이루어진 단일층 또는 그 복합층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼로미터
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제2항에 있어서, 상기 흡수층은 타이타늄(Ti), 니켈크롬(NiCr) 및 타이타늄(TiN) 중에 선택된 어느 하나로 이루어진 단일층 또는 그 복합층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼로미터
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제2항에 있어서, 상기 제1 절연막은 200-500 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 볼로미터
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반도체 기판 내에 검출회로를 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 표면의 일부 영역에 반사막을 형성하는 단계; 상기 반사막의 양측의 상기 반도체 기판의 표면에 상기 반사막과 이격되어 위치하는 금속패드를 형성하는 단계;상기 반사막과 금속패드가 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 적외선 파장(λ)/4 두께의 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층의 상부에 다결정화된 불순물이 도핑된 실리콘(Si) 또는 실리콘게르마늄(Si1-xGex, x=0
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제9항에 있어서, 상기 희생층은 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 볼로미터의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 폴리이미드층은 스핀코팅에 의해 도포한 후 300-400℃로 열경화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 볼로미터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 센서구조체를 형성하는 단계는,상기 희생층 상에 제1 절연막 및 예비 저항층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 예비 저항층에 레이저 빔을 조사하여 다결정 저항층을 형성하는 단계;상기 다결정 저항층, 제1 절연막 및 희생층의 일부를 순차적으로 제거하여 상기 금속패드를 노출시키는 단계;상기 다결정 저항층 및 제1 절연막을 상기 반사막 상에 한정되도록 식각하는 단계;상기 제1 절연막, 다결정 저항층 및 희생층의 노출된 부분을 균일한 두께로 덮는 제2 절연막을 형성하는 단계;상기 다결정 저항층의 양측 표면의 일부가 노출되도록 상기 제2 절연막을 제거하는 단계;상기 다결정 저항층과 상기 금속패드를 전기적으로 연결하는 전극을 형성하는 단계; 상기 노출된 제2 절연막 상에 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 전극, 제2 절연막 및 흡수층을 덮는 제3 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 예비 저항층은 비정질 상태 또는 결정화도가 낮은 불순물이 도핑된 실리콘(Si) 또는 실리콘게르마늄(Si1-xGex, x=0
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제12항에 있어서, 상기 예비 저항층은 화학증착법 또는 스퍼터링에 의해 400℃ 이하의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 볼로미터의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 다결정 저항층은 상기 레이저 빔을 조사하여 결정화 또는 재결정화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 볼로미터의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 레이저는 엑시머 레이저(excimer laser)를 사용하는 것을 특징으로 하는 것
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