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초박막 실리콘 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015100153
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 초박막 실리콘 제조 방법은 실리콘 산화막 상에 실리콘층을 준비하는 것, 상기 실리콘층의 표면에 열산화 공정을 수행하여 상기 실리콘층의 상부영역에 열 산화막을 형성하고, 상기 실리콘층의 하부영역에 상기 실리콘층보다 얇은 제 1 실리콘층을 형성하는 것, 상기 열 산화막을 제거하여 상기 제 1 실리콘층의 표면을 노출시키는 것, 상기 제 1 실리콘층 표면에 오존표면 산화공정을 수행하여 상기 제 1 실리콘층 표면과 인접한 상기 제 1 실리콘층 내에 오존 산화막을 형성하고, 상기 오존 산화막과 상기 실리콘 산화막 사이에 제 1 실리콘층보다 얇은 제 2 실리콘층을 형성하는 것, 상기 오존 산화막을 제거하여 상기 제 2 실리콘층의 표면을 노출시키는 것, 및 상기 실리콘 산화막을 식각하여 상기 제 2 실리콘층을 상기 실리콘 산화막으로부터 분리시키는 것을 포함한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C01B 33/021 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01)
출원번호/일자 1020130020472 (2013.02.26)
출원인 한국전자통신연구원, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0106210 (2014.09.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성덕 대한민국 대전 유성구
2 안종현 대한민국 경기 수원시 팔달구
3 장호욱 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0171364-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0413491-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
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실리콘 산화막 상에 실리콘층을 준비하는 것;상기 실리콘층의 표면에 열산화 공정을 수행하여 상기 실리콘층의 상부영역에 열 산화막을 형성하고, 상기 실리콘층의 하부영역에 상기 실리콘층보다 얇은 제 1 실리콘층을 형성하는 것;상기 열 산화막을 제거하여 상기 제 1 실리콘층의 표면을 노출시키는 것;상기 제 1 실리콘층 표면에 오존표면 산화공정을 수행하여 상기 제 1 실리콘층 표면과 인접한 상기 제 1 실리콘층 내에 오존 산화막을 형성하고, 상기 오존 산화막과 상기 실리콘 산화막 사이에 제 1 실리콘층보다 얇은 제 2 실리콘층을 형성하는 것; 상기 오존 산화막을 제거하여 상기 제 2 실리콘층의 표면을 노출시키는 것; 및상기 실리콘 산화막을 식각하여 상기 제 2 실리콘층을 상기 실리콘 산화막으로부터 분리시키는 것을 포함하는 초박막 실리콘 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 모바일 플렉시블 입출력 플랫폼