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반절연 갈륨비소 기판위에 이온주입에 의한 저항제조방법

  • 기술번호 : KST2015100363
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합 트랜지스터의 반절연성 갈륨비소 기판의 소정부분에 실리콘 이온을 주입하여 저항을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 수동소자의 저항을 제작하는 집적회로의 공정에 있어서, 반절연성 갈륨비소로 이루어진 반도체기판 상부의 소정 부분에 정렬 표시부(Align Mark)를 형성하는 제1과정과, 정렬 표시부를 기준으로 하여 반도체기판 상에 소정 부분을 노출시키는 감광막을 형성하는 제2과정과, 반도체기판의 노출된 부분에 Si이온을 주입하고 감광막을 제거하는 제3과정과, 반도체기판의 상부 및 하부의 표면에 절연막을 형성하는 제4과정 및 주입된 Si이온을 활성화시켜 저항을 형성하는 제5과정을 포함하여 이루어져, 반도체 기판의 소정의 영역에 Si이온을 주입하는 간단한 공정과정을 통해서 임의의 저항값을 갖는 저항을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/265 (2006.01)
CPC H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01)
출원번호/일자 1019950053679 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0169830-0000 (1998.10.13)
공개번호/일자 10-1997-0052136 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 서구
3 송기문 대한민국 서울특별시 서초구
4 박성호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207495-25
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207496-71
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207494-80
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207497-16
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207498-62
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109563-59
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

이종접합 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 수동소자인 저항을 제작하는 집적회로의 공정에 있어서, 반절연성 갈륨비소로 이루어진 반도체기판 상부의 소정 부분에 정렬 표시부(Align Mark)를 형성하는 제1과정과; 상기 정렬 표시부를 기준으로 하여 상기 반도체기판 상에 소정 부분을 노출시키는 감광막을 형성하는 제2과정과; 상기 반도체기판의 노출된 부분에 Si 이온을 주입하고 상기 감광막을 제거하는 제3과정과; 상기 반도체기판의 상부 및 하부의 표면에 절연막을 형성하는 제4과정 및 상기 주입된 Si 이온을 활성화시켜 저항을 형성하는 제5과정을 포함하여 이루어져 상기 부콜렉터층부터 에미터캡층까지 에피성장과정에서 정렬 표시부의 패턴이동이 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 이종접합 트랜지스터의 저항의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제2과정의 감광막의 폭과 길이를 조절함으로써 임의의 저항값을 갖는 저항을 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는 이종접합 트랜지스터의 저항의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제3과정의 이온주입 공정시 가속에너지와 이온양을 조절함으로써 임의의 저항값을 갖는 저항을 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는 이종접합 트랜지스터의 저항의 제조방법

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패밀리정보가 없습니다
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