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환형패드를이용한솔더범프형성방법

  • 기술번호 : KST2015100398
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 환형 패드를 이용한 솔더범프 형성방법에 관한 것으로서, 종래기술의 솔더범프의 크기가 작아지면 고속 및 고주파특성은 개선되지만 열적특성인 저하될 뿐 아니라 각 범프가 받는 하중이 늘어나 기계적 특성도 떨어지게 되는 문제점을 해결하기 위하에, 본 발명에서는 플립칩용 범프 패드의 형태를 환형으로 하는 공정(A), 유전체 패시베이션 공정(C)과, 후막 포토레지스트 도포공정(D)과, 솔더증착 공정(E)과, 리프트-오프(Lift-off)공정(F)과, 중차된 솔더의 리플로우 공정(G)과, 침과 기판의 플립칩 본딩공정(H)을 제공함으로써 낮은 온도에서 본딩을 가능하게 하고, 광소자의 본딩시에는 수직정렬을 이룰 수 있게하고, 낮은 기생 인덕턴스 및 캐퍼시턴스를 가질 뿐 아니라, 전기적, 기계적, 그리고 열적특성ㅇ을 증가시켜서 고속 및 고주파소자에 대한 플립칩본딩의 특성을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01)
CPC H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01)
출원번호/일자 1019930028268 (1993.12.17)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0110405-0000 (1997.01.09)
공개번호/일자 10-1995-0021292 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019960014446 (19961015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주관종 대한민국 대전직할시유성구
2 김동구 대한민국 대전직할시유성구
3 윤형진 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142147-25
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142146-80
3 특허출원서
Patent Application		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142145-34
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142148-71
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142149-16
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067076-82
7 등록사정서
Decision to grant		 1996.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067077-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

스퍼터링 방법에 의해서 소자(2)위에 반도체칩의 패드가 차지하는 면적을 줄임으로써 기생용량의 감소 및 정렬을 정교하도록 하는 환형 UBM패드(1)를 형성하는 고정(A)과, 상기 공정(A)후에 소정의 증착법을 이용하여 유전체 패시베이션(3)을 전면증착을 한 후 에칭을 하여 상기 환형 UBM패드(1)위에 개구(8)를 형성하는 공정(C)과, 1000~1500rpm에서 이중코우팅하여 도포한 후, UV노광 및 베이킹 과정을 거쳐 후막 포토레지스트(4)를 증착하는 공정(D)과, 상기 후막 포토레지스트(4)상부와 상기 개구(8)를 열증착방법에 의해서 증착된 솔더범프(5)를 형성하는 공정(E)과, 상기 후막 포토레지스트(4)를 유기용매에 넣어 용해시킴으로써 상기 환형 UBM패드(1)위에 증착된 솔더 이외의 솔더를 제거하기 위한 리프트-오프공정법에 의해서 증착된 솔더범프(5)를 형성하는 공정(F)과, 상기 증착된 솔더범프(5)를 소정의 가스분위기에서 리플로우시킨 후의 솔더범프(6)를 형성하는 공정(G)과, 상기 리플로우된 솔더범프(6)를 동일한 패턴이 있는 기판(7)위에 플립칩 본딩하는 공정(H)을 포함하는 것을 특징으로 하는 환형패드를 이용한 솔더범프 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 환형 UBM패드(1)는 다각형의 고리형태로 정의하는 것을 특징으로 하는 환형패드를 이용한 솔더범프 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 환형 UBM패드(1)는 전기적, 기계적, 그리고 열적특성의 향상을 도모하기 위하여 타원형을 이용하는 것을 특징으로 하는 환형패드를 이용한 솔더범프 형성방법

4 4

제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 환형 UBM패드(1)의 내부에도 솔더를 동시에 증착하는 것을 특징으로 하는 환형패드를 이용한 솔더범프 형성방법

5 5

제4항에 있어서, 상기 환형 UBM패드(1) 위에 증착된 솔더범프(5)와 상기 환형 UBM패드(1) 내부에 증착한 솔더의 조성을 달리함으로써 용융점의 차이를 이용하여 솔더범프의 전기적, 기계적, 그리고 열적특성의 향상을 도모하는 것을 특징으로하는 환형패드를 이용한 솔더범프 형성방법

6 6

제4항에 있어서, 상기 환형 UBM패드(1) 내부에 가용성이 된 금속을 위치시키는 것을 특징으로 하는 환형 패드를 이용한 솔더범프 형성방법

7 7

제3항에 있어서, 상기 환형 UBM패드(1) 외부에 또다른 환형의 패드를 위치시킴으로써 전기적, 기계적, 그리고 열적특성의 향상을 도모하는 것을 특징으로 하는 환형패드를 이용한 솔더범프 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.