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내화금속박막증착용반도체장치의반응기

  • 기술번호 : KST2015100433
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 제조에 필요한 확산 및 방지막,평탄한 다층 금속막(metallization)에 응용 가능한 내화 금속인 텅스텐 및 텅스텐 실리사이드 박막을 증착시킬 수 있는 저압 화학 증착 장치중에 실제로 공정이 진행되는 부분인 반응기에 관한 것이다.종래의 기술로는 증착율의 균일도가 나쁜 수평형 고온벽 반응기,증착율이나 균일도가 떨어지는 원추형 냉각벽 반응기,균일하게 가스를 공급하는 별도의 장치가 필요한 원통형 냉각벽 반응기가 있다.박막의 균일도를 향상시키고 냉각벽 방식으로 설계하여 반응기 오염을 방지하기 위해 개선된 반응기 공급장치나 배기구조는,알루미늄으로 제작된 원통형의 반응기 몸체(101)와, 상기 반응기 몸체의 상부에 위치하여 가스 주입구(112)가 체결되는 반응기 위벽(102)과, 상기 반응기 몸체의 하부에 위치하되 상측에 8개의 배기구명(114)이 형성된 배기 기관(107)과 하부에 배기라인(108)이 체결되는 반응기 아래벽(103)으로 이루어진 가스 혼합실(113)과, 상기 가스 혼합실 내측에 위치하고 상기 반응기 위벽이 체결되어 가스를 공급하는 가스 분사기(106)로 구성되어 있으며, 이 저압 화학 증착 장치는 또한 내화 금속인 텅스텐 및 텅스텐 실리사이드 박막을 증착시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/00 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
CPC C23C 16/4412(2013.01) C23C 16/4412(2013.01)
출원번호/일자 1019880017971 (1988.12.30)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0056113-0000 (1992.11.06)
공개번호/일자 10-1990-0010916 (1990.07.11) 문서열기
공고번호/일자 1019920006896 (19920821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.12.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상호 대한민국 대전시동구
2 강봉구 대한민국 충남대전시서구
3 장원익 대한민국 대전시유성구
4 배남진 대한민국 충남대전시서궁가
5 이영수 대한민국 충남대전시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1988.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104476-99
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104477-34
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104478-80
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1990.01.17 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104479-25
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1992.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0057902-49
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1992.02.29 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104480-72
7 의견서
Written Opinion		 1992.03.26 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104481-17
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1992.03.26 수리 (Accepted) 1-1-1988-0104482-63
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1992.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0057903-95
10 등록사정서
Decision to grant		 1992.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0057905-86
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

내화금속인 텅스텐 및 텅스텐실리사이드 박막을 증착시킬 수 있는 저압화학 증착장치에 있어서, 알루미늄으로 제작된 원통형의 반응기 몸체(101)와, 상기 반응기 몸체의 상부에 위치하여 기스주입구(112)가 체결되는 반응기 위벽(102)과, 상기 반응기 몸체의 하부에 위치하되 상측에 8개의 배기구멍(114)이 형성된 배기다기관(107)과 하부에 배기라인(108)이 체결되는 반응기 아래벽(103)으로 이루어진 가스혼합실(113)과; 상기 가스혼합실(113)의 내측에 위치하고 상기 반응기 위벽(102)이 체결되어 가스를 공급하는 가스분사기(106)를 구성한 것을 특징으로 하는 내화금속박막 증착용 반도체 장치의 반응기

2 2

제1항에 있어서, 상기 반응기 아랫벽(103)에 부착되어 적외선광의 외부누출방지와 냉각효율을 높이는 냉각벽 방식으로 반응기의 오염방지 및 박막의 특성을 향상시키는 냉각자켓(118)을 구성한 것을 특징으로 하는 내화금속박막 증착용 저압화학 증착장치의 반응기

3 3

제2항에 있어서, 상기 반응기 아랫벽(103)과 냉각자켓(118) 사이에 설치하여 배기다기관(107) 및 반응기 아랫벽(103)의 냉각기능을 갖는 구리링(120)을 구성한 것을 특징으로 하는 내화금속박막 증착용 반도체 장치의 반응기

4 4

제1항에 있어서, 상기 가스분사기(106)와 반응기 윗벽(102) 사이의 접촉면에 결합되어 적외선광에 직접 노출 가열된 반응기 윗벽(102)이 가스분사기(106) 내부의 냉각수에 의해 간접적으로 냉각이 되도록 하는 구리링(120)을 구성한 것을 특징으로 하는 내화금속박막 증착용 반도체 장치의 반응기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.