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반도체 기판 상에 확산 방지막 패턴을 형성하는 단계; 상기 확산 방지막 패턴이 형성된 반도체 기판의 전면에 불순물이 포함된 SOG막을 형성하는 단계; 상기 SOG막에 플라즈마 이온 주입법으로 상기 불순물 이온을 추가로 이온주입하여 상기 SOG막의 불순물 농도를 증가시키는 단계; 및 상기 불순물 농도가 증가된 SOG막에 포함된 불순물을 고체상태확산법으로 상기 반도체 기판에 확산시켜 얕은 접합을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법
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반도체 기판 상에 게이트 패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 패턴이 형성된 반도체 기판의 전면에 불순물이 포함된 SOG막을 형성하는 단계; 플라즈마 이온 주입법으로 상기 불순물 이온을 추가로 이온주입하여 상기 게이트 패턴의 표면보다 상측 부분 및 반도체 기판 상에 형성된 SOG막의 불순물 농도를 선택적으로 증가시키는 단계; 및 상기 SOG막에 포함된 불순물을 고체상태확산법으로 상기 반도체 기판에 확산시켜 자기정렬적으로 상기 게이트 패턴의 양측벽 하부에 LDD 영역 및 소오스/드레인 확장 영역을 갖는 얕은 접합을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 SOG막은 P, B, In, As 또는 Sb의 도핑 원소를 포함하는 액체 상태의 실리케이트 글래스(silicate glass)를 스핀 코팅시킨 후 치밀화시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 SOG막은 SiH4 및 O2와, P, B, In, As 또는 Sb의 도핑 원소를 포함하는 혼합 기체를 이용하여 화학기상증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 SOG막의 불순물 농도를 증가시키는 단계는 Plasma Immersion Ion Implantation(PIII)이나 Ion Shower Implantation(ISI)과 같은 플라즈마 이온 주입 장치를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불순물이 추가로 주입된 SOG막의 최대 불순물 주입 농도는 1019 ∼1023cm-3으로 조절하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 SOG막에 불순물 이온을 추가로 이온주입할 때, 상기 확산 방지막 패턴의 표면보다 상측 부분 및 상기 반도체 기판 상에 형성된 SOG막에만 선택적으로 불순물 이온이 주입되는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고체 상태 확산법으로 얕은 접합을 형성할 때 급속 열 어닐(rapid thermal anneal(RTA)), 스파이크 어닐(spike anneal) 또는 레이저 어닐(laser anneal)을 이용하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 급속 열 어닐(RTA)은 상기 불순물 농도가 증가된 SOG막이 형성된 반도체 기판을 비활성 가스 분위기 및 950℃ ∼1150℃의 온도에서 1∼ 1000초 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 스파이크 열처리는 상기 불순물 농도가 증가된 SOG막이 형성된 반도체 기판을 비활성 가스 분위기 및 950℃ ∼1200℃의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 집적 회로의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 얕은 접합은 상기 반도체 기판으로의 도핑깊이가 50nm 이하 및 도핑 농도가 1018 ∼1022cm-3인 것을 특징으로 하는 집적 회로의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 SOG막의 두께와 상기 게이트 패턴을 구성하는 게이트 전극의 높이의 비율을 1:1
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