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반도체 레이저 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015101209
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 레이저 및 그 제조방법이 제공된다. 반도체 레이저의 제조방법은, 매립 산화층을 포함하는 기판을 제공하는 것; 상기 매립 산화층을 식각하여 상기 기판을 노출하는 개구부를 가지는 패턴들을 형성하는 것; 상기 개구부 내에 게르마늄 단결정막을 형성하는 것; 및 상기 기판 상에 상기 게르마늄 단결정막에 인접하는 광 결합기를 형성하는 것을 포함한다.
Int. CL H01S 5/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120114259 (2012.10.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0048463 (2014.04.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.14)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인규 대한민국 대전 유성구
2 김경옥 대한민국 대전 유성구
3 김상훈 대한민국 대전 서구
4 장기석 대한민국 대전 대덕구
5 주지호 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0835590-74
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033916-80
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0568914-61
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0080405-81
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0408440-05
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0766374-39
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0766375-85
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0709917-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
매립 산화층 및 상기 매립 산화층 상의 상부 실리콘층을 포함하는 기판을 제공하는 것;상기 매립 산화층 및 상기 상부 실리콘층을 식각하여 상기 기판을 노출하는 개구부를 가지는 패턴들을 형성하는 것;상기 개구부 내에 게르마늄 단결정막을 형성하는 것; 및상기 기판 상에 상기 게르마늄 단결정막에 인접하는 광 결합기를 형성하는 것을 포함하되,상기 광 결합기를 형성하는 것은:상기 기판 상에 상기 광 결합기가 형성될 영역을 노출하는 마스크 패턴을 형성하는 것; 및상기 마스크 패턴에 의해 노출되는 상기 상부 실리콘층을 이방성 식각함으로써 경사면을 가지는 광 도파로를 형성하는 것을 포함하는 반도체 레이저의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 게르마늄 단결정막은 선택적 에피택시 성장(SEG)에 의해 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 매립 산화층은 상기 기판 상의 하부 매립 산화층 및 상기 하부 매립 산화층과 상기 상부 실리콘층 사이의 상부 매립 산화층을 포함하는 반도체 레이저의 제조방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 기판을 노출하는 개구부를 가지는 패턴들을 형성하는 것은:상기 상부 실리콘층을 식각하여 상기 상부 매립 산화층을 노출하는 제1 개구부를 가지는 제1 패턴을 형성하는 것;상기 상부 매립 산화층을 식각하여 상기 하부 매립 산화층을 노출하는 제2 개구부를 가지는 제2 패턴을 형성하는 것; 및상기 하부 매립 산화층을 식각하여 상기 기판을 노출하는 제3 개구부를 가지는 제3 패턴을 형성하는 것을 포함하되,상기 게르마늄 단결정막은 상기 제3 개구부 내에 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 제1, 제2, 및 제3 패턴들을 형성하는 것은, 상기 상부 실리콘층, 상기 상부 매립 산화층, 및 상기 하부 매립 산화층 상에 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정을 각각 수행하여 상기 제1, 제2, 및 제3 패턴들을 단계적으로 형성하는 것을 포함하는 반도체 레이저의 제조방법
6 6
청구항 4에 있어서,상기 제1, 제2, 및 제3 패턴들을 형성하는 것은,상기 상부 실리콘층 상에 포토 리소그래피 공정을 수행하고, 상기 상부 실리콘층, 상기 상부 매립 산화층, 및 상기 하부 매립 산화층을 순차적으로 식각 하여 상기 제1, 제2, 및 제3 패턴들을 한번에 형성하는 것을 포함하는 반도체 레이저의 제조방법
7 7
청구항 4에 있어서,상기 기판 내에 이온 주입 영역을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 이온 주입 영역은, 상기 제2 패턴이 형성된 후 상기 제3 패턴이 형성되기 전에, 상기 제2 개구부에 의해 노출되는 상기 하부 매립 산화층 상에 이온 주입 공정을 수행함으로써 형성되는 반도체 레이저의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 기판 상에 보호 패턴들을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 보호 패턴들을 형성하는 것은:상기 기판의 전면 상에 패시베이션막을 증착하는 것;상기 패시베이션막을 패터닝하여 상기 게르마늄 단결정막의 상면을 노출하는 것을 포함하는 반도체 레이저의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 기판 상에 전극을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 전극을 형성하는 것은:상기 보호 패턴들이 형성되는 상기 기판의 일면과 이에 대향하는 상기 기판의 타면 상에 도전막을 증착하는 것; 및상기 도전막을 패터닝하여 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 제1 전극은 상기 기판의 타면 상에 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 기판의 일면 상에 형성되어 상기 게르마늄 단결정막과 연결되는 반도체 레이저의 제조방법
10 10
청구항 8에 있어서,상기 보호 패턴들을 형성하는 것은 상기 패시베이션막을 패터닝하여 상기 기판의 상면의 일부를 노출하는 것을 더 포함하되,상기 노출되는 기판 상면의 일부는 상기 이온주입영역 내에 위치하는 반도체 레이저의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 기판 상에 전극을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 전극을 형성하는 것은:상기 보호 패턴들이 형성되는 상기 기판의 일면 상에 도전막을 증착하는 것; 및상기 도전막을 패터닝하여 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 모두 상기 기판의 일면 상에 형성되고, 상기 제1 전극은 상기 기판 내의 상기 이온주입영역과 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 게르마늄 단결정막과 연결되는 반도체 레이저의 제조방법
12 12
삭제
13 13
청구항 1에 있어서,상기 광 결합기가 형성된 후 상기 마스크 패턴을 제거하는 것을 더 포함하는 반도체 레이저의 제조방법
14 14
매립 산화층 및 상기 매립 산화층 상의 상부 실리콘층을 포함하는 기판;상기 매립 산화층 및 상기 상부 실리콘층을 관통하고 상기 기판을 노출하는 개구부 내에 배치되는 게르마늄 단결정막; 및상기 기판 상에 배치되고 상기 게르마늄 단결정막과 이격되는 광결합기를 포함하되,상기 광결합기는 상기 기판 상의 광 도파로, 및 상기 기판과 상기 광 도파로 사이의 반사 패턴을 포함하고,상기 광 도파로 및 상기 반사 패턴의 각각은 경사면을 가지고,상기 상부 실리콘층은 상기 경사면을 가지는 상기 광 도파로를 포함하는 반도체 레이저
15 15
청구항 14에 있어서,상기 기판의 일면 상에 형성되는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하되,상기 제1 전극은 상기 기판과 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 게르마늄 단결정막과 연결되는 반도체 레이저
16 16
청구항 14에 있어서,상기 기판의 일면 상에 형성되고 상기 게르마늄 단결정막과 연결되는 제1 전극; 및상기 기판의 일면에 대향하는 상기 기판의 타면 상에 형성되는 제2 전극을 포함하는 반도체 레이저
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술