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광 입출력 장치 및 그를 구비한 광 전자 시스템

  • 기술번호 : KST2015101771
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 입출력 장치, 및 그를 구비한 광 전자 시스템을 개시한다. 상기 장치는, 벌크 실리콘 기판, 벌크 실리콘 기판의 일측 상에 단일 집적된 수직 입사형 광검출 소자, 상기 수직 입사형 광검출 소자에 인접되는 상기 벌크 실리콘 기판 상의 타측 상에 단일 집적된 수직 출력형 광원 소자를 포함한다. 수직 출력형 광원 소자는 웨이퍼 본딩에 의해 실리콘 기판 상에 결합되어 형성되는 III-V족 화합물 반도체 광원 활성층을 포함할 수 있다.
Int. CL G02B 6/43 (2006.01.01) G02B 6/12 (2006.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) G02B 6/30 (2006.01.01)
CPC G02B 6/43(2013.01) G02B 6/43(2013.01) G02B 6/43(2013.01) G02B 6/43(2013.01)
출원번호/일자 1020130099082 (2013.08.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2031953-0000 (2019.10.07)
공개번호/일자 10-2014-0138523 (2014.12.04) 문서열기
공고번호/일자 (20191015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020130058195   |   2013.05.23
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.09)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경옥 대한민국 대전 유성구
2 박현대 대한민국 대전광역시 유성구
3 김인규 대한민국 대전 유성구
4 김상훈 대한민국 대전 서구
5 장기석 대한민국 대전 대덕구
6 김상기 대한민국 대전 유성구
7 주지호 대한민국 대전광역시 유성구
8 최용석 대한민국 대전광역시 유성구
9 권혁제 대한민국 대전광역시 유성구
10 박재규 대한민국 대전 유성구
11 김선애 대한민국 대전 유성구
12 오진혁 대한민국 대전 유성구
13 곽명준 대한민국 경기 김포시 김포한강**로 ***

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0759239-36
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048803-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-1112037-41
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0145386-58
7 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2018.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0145434-52
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0026436-07
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0249138-78
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0249139-13
11 등록결정서
Decision to grant		 2019.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0519745-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
벌크 실리콘 기판;상기 벌크 실리콘 기판의 일측 상에 단일 집적된 적어도 하나의 수직 입사형 광검출 소자; 및상기 수직 입사형 광검출 소자에 인접하는 상기 벌크 실리콘 기판의 타측 상에 단일 집적된 적어도 하나의 수직 출력형 광원 소자를 포함하되,상기 수직 입사형 광검출 소자는 벌크 게르마늄, 게르마늄 기반의 양자점, 게르마늄 기반의 양자선 어레이, 또는 Ge1-xSix/Ge1-ySiy 초격자(0≤x,y≤1)을 포함하고, 상기 벌크 실리콘 기판 상에 단일집적으로 성장되어 상기 벌크 실리콘 기판에 직접적으로 접촉되고,상기 수직 출력형 광원 소자는 웨이퍼 본딩에 의해 상기 벌크 실리콘 기판 상에 결합되어 단일 집적되는 III-V족 화합물 반도체 광원 활성층을 포함하는 광 입출력 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 수직 출력형 광원 소자는 표면방출 레이저 또는 표면방출 발광 다이오드를 포함하는 광 입출력 장치
5 5
제 1 항에 있어서,상기 수직 출력형 광원 소자 및 상기 수직 입사형 광검출 소자 상의 보호층을 더 포함하는 벌크 실리콘 광 입출력 장치
6 6
제 5 항에 있어서,상기 보호층은 실리콘 산화물을 포함하는 광 입출력 장치
7 7
제 5 항에 있어서,상기 보호층은 상기 수직 출력형 광원 소자 및 상기 수직 입사형 광검출 소자를 노출하는 홀들을 갖되, 상기 홀들 내에 형성된 광 비어들을 더 포함하는 광 입출력 장치
8 8
제 7 항에 있어서,상기 광 비어들은 실리콘 질화물을 포함하는 광 입출력 장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 보호층 상에 제공되고, 상기 광 비어들에 결합되는 수평 광 도파로를 더 포함하는 광 입출력 장치
10 10
제 9 항에 있어서,상기 보호층 상에 제공되고, 광 MUX/DEMUX, 광 스위치, 또는 그레이팅 커플러를 포함하고, 상기 수평 광 도파로에 결합되는, 광 수동 회로를 더 포함하는 광 입출력 장치
11 11
제 1 항에 있어서,상기 수직 입사형 광검출 소자 또는 상기 수직 출력형 광원 소자와 전기적으로 연결되고 상기 벌크 실리콘 기판 상에 단일 집적되는 CMOS 인터페이스 회로를 더 포함하는 광 입출력 장치
12 12
제 11 항에 있어서,상기 CMOS 인터페이스 회로는 트랜스임피던스 증폭기, 광원 드라이버 리미팅 증폭기, 씨리얼라이저/디씨리얼라이저 회로, PLL회로, 클럭 데이터 리커버리 회로, 또는 프로토콜 집적 회로를 포함하는 광 입출력 장치
13 13
삭제
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삭제
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벌크 실리콘 기판;상기 벌크 실리콘 기판의 일측 상에 단일 집적으로 형성된 적어도 하나의 수직 입사형 광 검출 소자; 및상기 벌크 실리콘 기판의 타측 상에, III-V족 화합물 반도체 기판을 개재하여 다이 본딩으로 실장된 적어도 하나의 수직 출력형 광원 소자를 포함하되,상기 수직 입사형 광검출 소자는 상기 벌크 실리콘 기판 상에 단일집적으로 성장되어 상기 벌크 실리콘 기판의 상부면에 직접적으로 접촉되는 흡수층을 갖는 광 입출력 장치
17 17
제 16 항에 있어서,상기 수직 출력형 광원 소자는 III-V족 화합물 반도체 광원 활성층을 포함하는 광 입출력 장치
18 18
벌크 실리콘 기판을 제공하는 단계;상기 벌크 실리콘 기판의 일측 상에 수직 입사형 광검출 소자를 단일 집적으로 형성하는 단계; 및상기 벌크 실리콘 기판의 타측 상에 수직 출력형 광원 소자를 단일 집적으로 형성하는 단계를 포함하되,상기 수직 출력형 광원 소자의 형성 단계는: 상기 벌크 실리콘 기판의 일측 상의 상기 수직 입사형 광검출 소자를 덮는 소자 보호층을 형성하는 단계;III-V족 반도체 기판 및 상기 III-V족 반도체 기판 상의 III-V족 반도체 광원 활성층을 포함하는 웨이퍼를 상기 벌크 실리콘 기판의 타측에 본딩하는 단계; 상기 III-V족 반도체 기판을 제거하는 단계;상기 III-V족 반도체 광원 활성층을 패터닝하여 표면방출 레이저 또는 표면방출 발광 다이오드를 형성하는 단계; 및상기 수직 입사형 광 검출 소자, 및 상기 수직 출력형 광원 소자 상에 보호 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 수직 입사형 광검출 소자를 형성하는 단계는 상기 벌크 실리콘 기판 상에 상기 수직 입사형 광검출 소자의 흡수 층을 성장하는 단계를 포함하는 광 입출력 장치의 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 보호 층을 식각하여, 상기 수직 입사형 광검출 소자 및 상기 수직 출력형 광원 소자를 노출하는 홀들을 형성하는 단계; 상기 홀들 내에 광 비어들을 형성하는 단계; 상기 보호층 상에 상기 광 비어들에 결합되는 수평 광 도파로들을 접합하는 단계; 및상기 보호층 상에, 상기 수평 광 도파로에 결합되고, 광 MUX/DEMUX, 광 스위치, 또는 그레이팅 커플러를 포함하는 광 수동회로를 형성하는 단계를 포함하는 광 입출력 장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09690042 US 미국 FAMILY
2 US10168474 US 미국 FAMILY
3 US10466413 US 미국 FAMILY
4 US20140346532 US 미국 FAMILY
5 US20170261705 US 미국 FAMILY
6 US20170269298 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술