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핫엠보싱 공정을 이용하여 2차원 고분자 광도파로를제작하는 방법

  • 기술번호 : KST2015079019
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양면 핫엠보싱(Double-Side Hot Embossing) 공정을 이용하여 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법으로서, (a) 코어 형성용 패턴을 갖는 상부 및 하부 마스터를 일정온도하에서 중간클래드층에 가압하여 상기 중간 클래드층의 양측에 코어 패턴을 형성하는 단계와, (b) 중간 클래드층의 코어 패턴에 코어물질을 주입하는 단계와, (c) 코어 물질이 주입된 중간 클래드층에 상부 및 하부 클래드층을 부착하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 2차원으로 고분자 광도파로를 매우 간단하고, 경제적으로 제작할 수 있어 고밀도 병렬 광접속이 가능한 광도파로 소자를 대량으로 제작이 가능하다. 핫엠보싱, 2차원 광도파로, 고분자
Int. CL G02B 6/12 (2006.01)
CPC G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01)
출원번호/일자 1020020066171 (2002.10.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0444180-0000 (2004.08.02)
공개번호/일자 10-2004-0037614 (2004.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20040811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.10.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최춘기 대한민국 대전광역시유성구
2 김병철 대한민국 전라북도전주시덕진구
3 정명영 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0356523-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0029515-19
4 등록결정서
Decision to grant		 2004.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0249387-47
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법에 있어서,

(a) 코어 형성용 패턴을 갖는 상부 및 하부 마스터를 일정온도하에서 중간클래드층에 가압하여 상기 중간 클래드칭의 양측에 코어 패턴을 형성하는 단계;

(b) 상기 중간 클래드층의 코어 패턴에 코어물질을 주입하는 단계; 및

(c) 상기 코어 물질이 주입된 중간 클래드층에 상부 및 하부 클래드층을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 (c)단계의 부착단계는 UV광을 약 2~5분 정도 조사하면서, 상,하부클래드층을 일정한 압력으로 프레스하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 하부클래드층의 두께가 수십㎛ 이하이면 상기 하부클래드층 하부에 실리콘 웨이퍼 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 2 차원 적층으로 형성된 코어층은 X-변위 위치가 상부 및 하부 코어의 중심점이 같은 위치에 있는 도파로로 제작되는 것을 특징으로 하는 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 코어의 중심점 간 피치는 100㎛ 내지 300㎛으로 제작되는 것을 특징으로 하는 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 2 차원 적층으로 형성된 코어층은 적층된 코어층의 위치가 상부 양쪽 코어 사이의 피치의 1/2되는 지점이 하부 코어의 1/2되는 지점과 같은 X-변위에 위치하도록 제작되는 것을 특징으로 하는 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 코어 패턴은 가로와 세로가 각각 5 ~ 200㎛인 것을 특징으로 하는 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 중간클래드층의 두께는 132㎛ ~ 450㎛인 것을 특징으로 하는 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법

9 9

제 1 항에 있어서, 상기 (a)단계에서는, 유리 전이온도(Tg)보다 10~100℃ 정도 높은 온도에서 가압하는 것을 특징으로 하는 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법

10 10

제 1 항 내지 제 9항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 고분자 시트는 열가소성 고분자(PMMA, PC, COC, PS) 또는 PMMA, PC, COC 또는 PS에 Lactone 을 포함하는 첨가물이 함유된 것을 특징으로 하는 2차원 고분자 광도파로를 제작하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.