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제 1 폭의 돌출부를 가지는 몰드를 형성하는 단계;기판의 일면 상에 필터막을 형성하는 단계;상기 필터막 상에 레지스트막을 코팅하는 단계;상기 돌출부가 상기 레지스트막을 통해 상기 필터막과 닿도록 상기 몰드로 찍어 제 1 개구부를 가지는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 레지스트 패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 필터막을 식각하여 상기 기판을 노출시키는 제 2 개구부를 형성하는 단계; 상기 레지스트막을 제거하는 단계; 및상기 일면과 반대되는 면 쪽의 상기 기판의 일부를 제거하여 상기 필터막의 상기 개구부를 노출시키는 단계를 포함하는 미세 필터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 몰드로 찍은 후에, 상기 레지스트막의 점성에 의해 리플로우(reflow)되어 상기 제 1 개구부는 상기 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭의 하부를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 필터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 개구부를 가지는 레지스트 패턴을 형성하는 단계 후에, 상기 레지스트 패턴을 리플로우 시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 필터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 몰드를 형성하는 단계는,희생 기판 상에 제 1 예비 개구부를 가지는 예비 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 예비 레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 제 2 예비 개구부를 가지는 예비 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 예비 레지스트 패턴을 제거하는 단계;상기 예비 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 희생 기판을 식각하여 몰드홀(mold hole)을 형성하는 단계 ;상기 예비 마스크 패턴을 제거하는 단계;상기 희생 기판 상에 상기 몰드홀에 삽입되는 돌출부를 포함하는 몰드막을 형성하는 단계; 및상기 희생 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 필터의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 몰드막을 형성하는 단계 전에, 상기 희생 기판 상에 시드막을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 몰드막은 전기도금 또는 무전해도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 필터의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 몰드막과 상기 시드막은 크롬, 니켈, 구리 및 백금을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나 또는 이의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 필터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레지스트막은 포토레지스트막 또는 전자빔(electron-beam) 레지스트막인 것을 특징으로 하는 미세 필터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 및 실리콘화합물 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 필터의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 예비 개구부의 폭은 포토리소그라피 공정 또는 전자빔(e-beam) 리소그라피 공정으로 구현이 가능한 최소한의 크기로 형성되며, 상기 제 2 예비 개구부의 폭은 상기 제 1 예비 개구부의 폭보다 좁게 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 필터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 돌출부의 높이는 상기 레지스트막의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 미세 필터의 제조 방법
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