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나노 다공성 멤브레인 및 그 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015089525
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 공정에서 이용하는 증착 기술을 이용하여 원주상 구조를 가지는 나노 다공성 멤브레인을 제작하고, 그 제작된 나노 다공성 멤브레인의 하면을 식각하거나 시드층 및 나노 비드층을 이용하여 나노 구멍의 크기를 조절함으로써, 원주상 구조를 가지는 나노 다공성 멤브레인을 제작할 때 공정 온도를 낮추고 대면화할 수 있으며 용이하게 나노 구멍 크기를 조절할 수 있다.
Int. CL B01D 69/02 (2011.07.29) B01D 67/00 (2011.07.29)
CPC
출원번호/일자 1020110049500 (2011.05.25)
출원인 한국전자통신연구원, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0131379 (2012.12.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.25)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이대식 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구
3 최동훈 대한민국 대전광역시 유성구
4 이병기 대한민국 대전광역시 유성구
5 정문연 대한민국 대전광역시 유성구
6 김승환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
2 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0391255-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0811889-03
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1110948-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0501149-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0501145-29
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.11.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-1065903-49
12 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0158656-84
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.11.08 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-1092706-84
14 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0174868-21
15 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0178493-07
16 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-1235501-97
17 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2016.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-1235515-25
18 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0183206-38
19 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
20 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0127557-13
21 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0615312-24
22 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1082010-71
23 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-1082009-24
24 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0202839-32
25 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0506640-59
26 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0506641-05
27 등록결정서
Decision to grant
2018.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0632311-67
28 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5004615-50
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
31 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 양면에 제1 보호층을 형성하는 제1 보호층 형성 단계; 상기 기판의 상면에 형성된 제1 보호층 상에 금속물질, 산화물, 질화물 및 플루오린화물 중 어느 하나의 증착 물질을 물리적 기상 증착법(PVD: Physical Vapor Deposition)을 통해 증착하여 주상 구조(Columnar Structure)의 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 상기 박막 상에 제2 보호층을 형성하는 제2 보호층 형성 단계; 상기 기판의 하면의 일부분이 드러나도록 상기 기판의 하면에 형성된 제1 보호층을 패터닝하는 패터닝 단계; 및상기 제2 보호층을 제거하는 제2 보호층 제거 단계;를 포함하고,상기 박막 형성 단계는:상기 증착 물질의 표면 확산을 방지하여 서로 이격된 복수개의 주상 그레인들을 상기 제1 보호층 상에 수직적으로 성장시키는 것 및 상기 주상 그레인들 사이에 나노 구멍을 형성시키는 것을 포함하는 나노 다공성 멤브레인 제작 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 드러난 일부분의 기판 및 상기 기판의 상면에 형성된 제1 보호층을 식각하는 제1 보호층 식각 단계;를 더 포함하는 나노 다공성 멤브레인 제작 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 드러난 일부분의 기판 및 기판 상면에 형성된 제1 보호층을 식각하여 상기 나노 구멍이 형성된 박막을 드러나도록 하는 제1 보호층 식각 단계; 및 상기 드러난 일부분의 나노 구멍이 형성된 박막의 일부분을 식각하여 나노 구멍 크기를 조절하는 크기 조절 단계;를 더 포함하는 나노 다공성 멤브레인 제작방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 박막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 카바이드 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 멤브레인 제작 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 박막 형성 단계에서 상기 물리적 기상 증착법은, 스퍼터링(Sputtering) 증착 방법 또는 열증착(Thermal Evaporation) 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 멤브레인 제작 방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 박막 형성 단계에서 상기 금속물질은, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 코발트(Co), 철(Fe), 티탄(Ti), 백금(Pt) 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상을 포함하고, 상기 산화물은, ITO(indium tin oxide), 산화아연(ZnO), 실리콘 산화물(SiO) 및 이산화티타늄(TiO2) 중 하나 이상을 포함하고, 상기 질화물은, 질화티타늄(TiN), 질화크롬(CrN) 및 질화나아이븀(NbN) 중 하나 이상을 포함하고, 상기 플루오린화물은, 플루오린화 칼슘(CaF2) 및 플루오린화 마그네슘(MgF2) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 멤브레인 제작방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제2 보호층 형성 단계에서 제2 보호층은, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 카바이드 및 전기 도금된 금, 구리, 니켈 중 하나 이상을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 멤브레인 제작방법
9 9
기판 양면에 제1 보호층을 형성하는 제1 보호층 형성 단계; 상기 기판의 상면에 시드층을 형성하는 단계;상기 기판의 상면에 형성된 시드층 상에 금속물질, 산화물, 질화물 및 플루오린화물 중 어느 하나의 증착 물질을 물리적 기상 증착법(PVD: Physical Vapor Deposition)을 통해 증착하여 주상 구조(Columnar Structure)의 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 상기 박막 상에 제2 보호층을 형성하는 제2 보호층 형성 단계; 상기 기판의 하면의 일부분이 드러나도록 상기 기판의 하면에 형성된 제1 보호층을 패터닝하는 패터닝 단계; 및상기 드러난 일부분의 기판 및 기판 상면에 형성된 제1 보호층을 식각하여 상기 시드층을 드러나도록 하는 제1 보호층 식각 단계; 상기 드러난 일부분의 시드층을 식각하여 나노 구멍을 가지는 박막을 드러나게 하는 시드층 식각 단계; 및 상기 제2 보호층을 제거하는 제2 보호층 제거 단계;를 포함하고,상기 박막 형성 단계는:상기 증착 물질의 표면 확산을 방지하여 서로 이격된 복수개의 주상 그레인들을 상기 시드층 상에 수직적으로 성장시키는 것 및 상기 주상 그레인들 사이에 나노 구멍을 형성시키는 것을 포함하는 나노 다공성 멤브레인 제작 방법
10 10
기판 양면에 제1 보호층을 형성하는 제1 보호층 형성 단계; 상기 기판의 상면에 나노 비드층을 형성하는 단계; 상기 기판의 상면에 형성된 나노 비드층 상에 금속물질, 산화물, 질화물 및 플루오린화물 중 하나의 증착 물질을 물리적 기상 증착법을 통해 증착하여 주상 구조의 박막을 형성하는 박막 형성 단계;상기 박막 상에 제2 보호층을 형성하는 제2 보호층 형성 단계; 상기 기판의 하면의 일부분이 드러나도록 상기 기판의 하면에 형성된 제1 보호층을 패터닝하는 패터닝 단계; 상기 드러난 일부분의 기판 및 기판 상면에 형성된 제1 보호층을 식각하여 상기 나노 비드층을 드러나도록 하는 제1 보호층 식각 단계; 상기 드러난 일부분의 나노 비드층을 식각하여 나노 구멍을 가지는 박막을 드러나게 하는 나노 비드층 식각 단계; 및 상기 제2 보호층을 제거하는 제2 보호층 식각 단계를 포함하고,상기 박막 형성 단계는:상기 증착 물질의 표면 확산을 방지하여 서로 이격된 복수개의 주상 그레인들을 상기 비드층 상에 수직적으로 성장시키는 것 및 상기 주상 그레인들 사이에 나노 구멍을 형성시키는 것을 포함하는 나노 다공성 멤브레인 제작 방법
11 11
기판;상기 기판 양면에 형성된 제 1 보호층;및상기 기판의 상면에 형성된 제1 보호층 상에 물리적 기상 증착을 통해 형성된 주상 구조의 박막;을 포함하고,상기 기판의 하면에 형성된 제1 보호층의 일부분이 패터닝 되어 상기 기판 및상기 제1 보호층의 일부분이 식각되고,상기 박막은 서로 이격되어 수직적으로 성장되는 주상 그레인들 및 상기 주상 그레인들 사이의 나노 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 멤브레인
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08834730 US 미국 FAMILY
2 US20120298625 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012298625 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8834730 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.