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매립형저항성접촉의형성방법

  • 기술번호 : KST2015102211
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 29/784 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01)
CPC H04N 1/40087(2013.01) H04N 1/40087(2013.01)
출원번호/일자 1019890012680 (1989.09.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0054465-0000 (1992.09.07)
공개번호/일자 10-1991-0007126 (1991.04.30) 문서열기
공고번호/일자 1019920004365 (19920604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1989.09.01)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전직할시동구
2 이재진 대한민국 대전시서구
3 김진섭 대한민국 대전시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1989.09.01 수리 (Accepted) 1-1-1989-0074371-90
2 특허출원서
Patent Application		 1989.09.01 수리 (Accepted) 1-1-1989-0074369-08
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1989.09.01 수리 (Accepted) 1-1-1989-0074370-44
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1992.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0039239-09
5 등록사정서
Decision to grant		 1992.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0039240-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

서로 다른 밴트갭을 가진 물질을 접합시켜 감금된 캐리어를 이용하여 변조 도핑전계효과 트린지스터를 제조함에 있어서, 소오스, 드레인 부분을 2차원 전자가스 채널층까지 식각하고 금속을 증착하여 저항성 접촉을 형성시키도록 한 매립형 저항성 접촉의 형성방법

2 2

제 1 항에 있어서, 저항성 접촉 부위를 2차원 전자가스 채널층까지 식각하고 금속을 증착하여 저항성 접촉과 2차원 전자가스 채널층이 직접 접하되도록 한 매립형 저항성 접촉의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.