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공명투과 광전 소자의 구조

  • 기술번호 : KST2015102383
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공명 투과광전 소자 및 수직구조에 관한 것으로서, 본 발명의 특징은 종래에 사용되고 있는 광검출기나 광전도체와는 상이하게 빛에 의해 생성된 정공이 장벽앞에 축적됨으로써 이중장벽양자우물구조에서의 더욱 많은 전압강하를 유도하여 공명투과다이오드의 피크가 낮은 전압으로 이동하는 새로운 개념으로 동작하며, 또한 공명투과 전류가 빛에 의해 제어되므로 현재 광전소자로 가장 많이 사용되는 PIN다이오드에 비하여 103배 이상 전류량이 많다.따라서 주변회로를 구동시키기 위하여 광전소자로부터의 출력 신호를 증폭시키는 기능이 생략되므로 회로를 단순화시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2006.01) H01S 3/18 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1019930026787 (1993.12.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0126553-0000 (1997.10.16)
공개번호/일자 10-1995-0021821 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970011140 (19970707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 추혜용 대한민국 대전직할시대덕구
2 박병운 대한민국 대전직할시서구
3 최영완 대한민국 대전직할시중구
4 한선규 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135502-77
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135503-12
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135504-68
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.01 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135505-14
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135506-59
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0062875-84
7 의견서
Written Opinion		 1997.05.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135507-05
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.05.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135508-40
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0062876-29
10 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135509-96
11 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0062877-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

n형 GaAs 기판 위에 n형 2×1018㎝-3 GaAs의 완충층(1)을 10,000Å 성장시키고, 이 위에 4×1017㎝-3 도우핑된 n형 GaAs의 간격층(2), 도우핑 안된 100Å 두께의 GaAs의 간격층(3)을 형성하고, 이 위에 비공명 투과전류를 줄이기 위하여 도우핑 안된 28Å 두께의 AlAs를 양자장벽(4)으로 하여 대칭적으로 성장시키고, 전류량을 증가시키기 위하여 45Å 두께의 도우핑 안된 In(비율 0

지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02843271 JP 일본 FAMILY
2 JP07202247 JP 일본 FAMILY
3 US05446293 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2843271 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7202247 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH07202247 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5446293 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.