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반응기 내에 기판을 준비하는 것; 및상기 기판 상에 에피층을 형성하는 것을 포함하고,상기 에피층을 형성하는 것은 펄스 플로우 성장법을 수행하는 것을 포함하되,상기 펄스 플로우 성장법은:상기 기판 상에 5족 소스 물질을 공급하는 것; 및상기 기판 상에 3족 소스 물질을 공급하는 것을 포함하고,상기 5족 및 3족 소스 물질들은 상기 반응기 내에 교대로 공급되되,상기 5족 소스 물질은 히드라진(hydrazine) 계열의 물질을 포함하고,상기 에피층을 형성하는 것은 연속 플로우 성장법을 수행하는 것을 더 포함하고,상기 연속 플로우 성장법은:상기 기판 상에 상기 5족 소스 물질을 공급하는 것; 및상기 기판 상에 상기 3족 소스 물질을 공급하는 것을 포함하고,상기 5족 및 3족 소스 물질들은 상기 반응기 내에 동시에 공급되되,상기 5족 소스 물질은 암모니아를 포함하고, 상기 펄스 플로우 성장법과 상기 연속 플로우 성장법은 교대로 수행되되, 상기 펄스 플로우 성장법과 상기 연속 플로우 성장법의 전환 시, 상기 히드라진 계열의 물질과 상기 암모니아는 상기 반응기 내에 동시에 공급되는 질화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 히드라진 계열의 물질은 디메틸히드라진(dimethylhydrazine)을 포함하는 질화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3족 소스 물질은 알루미늄(Al)을 포함하는 질화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 5족 소스 물질과 상기 3족 소스 물질의 공급비(V/III 비)는 1 내지 100 사이인 질화물 반도체의 제조 방법
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기판 상에 제 1 질화물 반도체층을 형성하는 것; 및상기 제 1 질화물 반도체층 상에 제 2 질화물 반도체층을 형성하는 것을 포함하고,상기 제 1 질화물 반도체층은 연속 플로우 성장법에 의해 형성되고,상기 제 2 질화물 반도체층은 펄스 플로우 성장법에 의해 형성되되,상기 연속 플로우 성장법은:상기 기판 상에 5족 소스 물질을 공급하는 것; 및상기 기판 상에 3족 소스 물질을 공급하는 것을 포함하고,상기 5족 및 3족 소스 물질들은 상기 기판 상에 동시에 공급되되,상기 5족 소스 물질은 암모니아를 포함하고,상기 펄스 플로우 성장법은:상기 기판 상에 5족 소스 물질을 공급하는 것; 및상기 기판 상에 3족 소스 물질을 공급하는 것을 포함하고,상기 5족 및 3족 소스 물질들은 상기 기판 상에 교대로 공급되되,상기 5족 소스 물질은 히드라진(hydrazine) 계열의 물질을 포함하고,상기 연속 플로우 성장법과 상기 펄스 플로우 성장법은 동일 반응기에서 차례로 수행되되, 상기 연속 플로우 성장법에서 상기 펄스 플로우 성장법으로 전환 시, 상기 히드라진 계열의 물질과 상기 암모니아는 상기 반응기 내에 동시에 공급되는 전력 반도체 소자의 제조 방법
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