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종자정 받침대의 일면에 일정한 크기와 형상을 갖는 홈을 복수개 형성하는 단계;상기 종자정 받침대의 일면과 상기 홈에 일정한 두께로 접착 물질을 도포하는 단계; 및상기 접착 물질에 의하여 종자정을 상기 종자정 받침대에 부착하는 단계를 포함하는 종자정 받침대 부착 방법
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제1항에 있어서,상기 홈은 격자 형태로 형성되는 종자정 받침대 부착 방법
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제2항에 있어서,상기 홈의 직경은 0
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제2항에 있어서,상기 종자정 받침대는 500℃ 이상의 온도 및 상압에서 열처리 되는 종자정 받침대 부착 방법
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제4항에 있어서,상기 접착 물질은 질소 분위기에서 경화 처리되는 종자정 받침대 부착 방법
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원료 물질이 장입되는 도가니, 종자정이 부착되는 종자정 받침대, 상기 도가니를 가열하는 가열수단을 포함하는 성장장치를 이용하여 단결정을 성장시키는 종자정 받침대를 이용한 단결정 성장 방법에 있어서,상기 종자정 받침대의 일면에 일정한 크기와 형상을 갖는 홈을 복수개 형성하는 단계;상기 종자정 받침대의 일면과 상기 홈에 일정한 두께로 접착 물질을 도포하는 단계;상기 접착 물질에 의하여 종자정을 상기 종자정 받침대에 부착하는 단계;상기 종자정이 부착된 종자정 받침대를 성장장치 내로 인입시키는 단계;상기 원료 물질을 성장장치 내부에 배치된 도가니에 장입시기키는 단계;상기 가열 수단을 이용하여 도가니를 가열시켜, 상기 도가니 내에 장입된 원료물질을 승화시켜 종자정에 단결정을 성장시키는 단계를 포함하는 종자정 받침대를 이용한 단결정 성장 방법
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제6항에 있어서,상기 홈은 격자 형태로 형성되는 종자정 받침대를 이용한 단결정 성장 방법
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제7항에 있어서,상기 홈의 직경은 0
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제7항에 있어서,상기 종자정 받침대는 500℃ 이상의 온도 및 상압에서 열처리 되는 종자정 받침대를 이용한 단결정 성장 방법
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제9항에 있어서,상기 접착 물질은 질소 분위기에서 경화 처리되는 종자정 받침대를 이용한 단결정 성장 방법
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제6항에 있어서,상기 원료 물질은 SiC를 사용하는 종자정 받침대를 이용한 단결정 성장 방법
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단결정 성장 장치의 도가니의 내부에 장착되고, 단결정 성장을 위한 종자정이 부착되는 종자정 받침대에 있어서,상기 종자정 받침대의 일면에는 일정한 크기와 형상으로 형성되고, 상기 종자정과 결합을 위한 접착 물질을 도포하기 위한 홈이 복수개 형성되는 종자정 받침대
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제12항에 있어서,상기 홈은 격자 형태로 형성되는 종자정 받침대
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제13항에 있어서,상기 홈의 직경은 0
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제13항에 있어서,상기 종자정 받침대는 500℃ 이상의 온도 및 상압에서 열처리 되는 종자정 받침대
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제15항에 있어서,상기 접착 물질은 질소 분위기에서 경화 처리되는 종자정 받침대
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