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규석광으로 이루어진 원료 물질을 준비하는 원료 준비 단계;상기 원료 물질을 세척하여 상기 원료 물질의 표면의 불순물을 제거하는 세척 단계;상기 원료 물질에 열을 가하고 냉각하는 열처리 단계;상기 열처리가 이루어진 원료 물질을 파쇄하여 분말로 만드는 파쇄 단계;상기 원료 물질의 파쇄 적절 여부를 검사하는 검사 단계;상기 파쇄를 통해 얻은 분말을 산용액을 이용하여 불순물을 제거하는 산처리 침출 단계; 및상기 산처리 침출이 이루어진 분말을 건조시키는 건조 단계를 포함하고,상기 열처리 공정은, 공기 중 분위기에서 800℃ 내지 1300℃로 상기 원료 물질에 열을 가하고,상기 열처리 공정은, 1시간 내지 8시간 동안 상기 원료 물질에 열을 가하고,상기 열처리 공정은, 열충격에 의하여 광석 내부에 미세한 균열이 발생하게 되고 파쇄 단계시 오염을 방지할 수 있도록 상기 원료 물질에 열을 가한 후에, 상기 원료 물질을 23℃ 내지 26℃의 온도의 물(H2O)에 투입하여 급냉시키고,상기 파쇄 단계는, 상기 원료 물질을 0
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제 1 항에서,상기 규석광은 규소(SiO2) 함량이 98wt% 내지 99
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제 1 항에서, 상기 산처리 침출 단계는, 염산(HCL)과 불산(HF)을 혼합한 산용액을 이용하여 상기 분말 내부에 포함된 금속 불순물을 녹여내는 것을 특징으로 하는 고순도 실리카 분말 제조 방법
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제 7 항에서, 상기 염산과 불산을 혼합한 산용액은 2wt% 내지 10wt%의 농도인 것을 특징으로 하는 고순도 실리카 분말 제조 방법
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제 8 항에서,상기 산처리 침출 단계는,75℃ 내지 85℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고순도 실리카 분말 제조 방법
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제 9 항에서,상기 분말의 부피비는 상기 산용액 대비 5% 내지 20%인 것을 특징으로 하는 고순도 실리카 분말 제조 방법
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제 1 항에서,상기 산처리 침출 단계 후에, 상기 분말에 잔류하는 산용액을 증류수를 이용하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 실리카 분말 제조 방법
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