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실리콘카바이드 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 실리콘카바이드 단결정의 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015111121
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘카바이드 단결정 성장 장치 및 상기 장치를 이용한 성장 방법에 관한 것으로, 내부에 실리콘카바이드 단결정 원료가 장입되는 탄소질 도가니; 도가니 내부의 상부면에 결합되며, 종자정이 부착되는 종자정 홀더; 종자정 홀더와 이격되어 형성되며, 도가니의 내주면에 환형으로 형성되여 실리콘카바이드 단결정 원료를 유도하는 가이드링; 및 탄소질 도가니의 일측에 형성된 하나 또는 그 이상의 홀을 포함하며, 상기 홀의 형성 위치는 하기 수학식 1을 만족한다.[수학식 1]L1/L0 ≤ 0.2수학식 1에서,L0은 도가니의 높이를 의미하고,L1은 도가니 상단으로부터 홀까지의 거리를 의미한다.
Int. CL C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/06 (2006.01)
CPC C30B 23/06(2013.01) C30B 23/06(2013.01)
출원번호/일자 1020130163412 (2013.12.26)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-1538867-0000 (2015.07.16)
공개번호/일자 10-2015-0076272 (2015.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20150723) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 은태희 대한민국 경북 포항시 남구
2 여임규 대한민국 경북 포항시 남구
3 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
4 이승석 대한민국 경북 포항시 남구
5 박노형 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1186855-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0074720-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0115966-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0374072-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0374073-59
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0470513-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
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번호 청구항
1 1
내부에 실리콘카바이드 단결정 원료가 장입되는 탄소질 도가니;도가니의 내주면에 환형으로 형성되어 실리콘카바이드 단결정 원료를 유도하는 가이드링; 및탄소질 도가니의 일측에 형성되며, 직경이 3
2 2
제 1 항에 있어서,상기 홀의 형성 위치는 하기 수학식 2를 만족하는 실리콘카바이드 단결정 성장 장치:[수학식 2](L2 - L1) /L2 ≥ 0
3 3
제 1 항에 있어서, 도가니의 내부의 일부 또는 전부는 비정질 탄소로 코팅된 구조인 실리콘카바이드 단결정 성장 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 가이드링의 일부 또는 전부는 비정질 탄소로 코팅된 구조인 실리콘카바이드 단결정 성장 장치
5 5
실리콘카바이드 단결정 원료가 장입된 제 1 항에 따른 실리콘카바이드 단결정 성장 장치를 1,600℃ 내지 1,900℃에서 가열하는 전처리 단계; 및실리콘카바이드 단결정을 성장시키는 단계를 포함하며,상기 전처리 단계를 거치는 동안, 실리콘카바이드 단결정 성장 장치에 형성된 홀은 실리콘카바이드 단결정 원료의 증착에 의해 폐쇄되는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장 방법
6 6
삭제
7 7
제 5 항에 있어서, 전처리 단계에서, 성장 장치의 내측 상부면에는 종자정이 부착된 상태이며, 전처리 단계 및 실리콘카바이드 단결정을 성장시키는 단계는, 장치의 개폐 과정 없이 연속적으로 수행하는 실리콘카바이드 단결정 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.