맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

화학기상증착반응기용다구역샤워헤드

  • 기술번호 : KST2015111383
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학기상증착 반응기용 다구역 샤워헤드에 관한 것이다.좀 더 구체적으로, 본 발명은 화학기상증착시 웨이퍼에 박막을 균일하게 증착시킬 수 있으며 증착 반응물질의 사용량을 대폭적으로 줄일 수 있는 화학기상증착 반응기용 다구역 샤워헤드에 관한 것이다. 본 발명의 다구역 샤워헤드는 반도체 소자 제조시 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 반응기의 샤워헤드에 있어서, 화학기상증착 반응기로 유입되는 가스의 농도와 속도분포를 조절하기 위하여, 샤워헤드가 가스의 성분, 성분비 및 유량을 독립적으로 조절할 수 있는 2이상의 구역으로 분할되어 구성된 것을 특징으로 한다. 바람직하게는, 본 발명의 다구역 샤워헤드는 반도체 소자 제조시 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 반응기의 샤워헤드에 있어서, 일정한 반경(r1)을 지닌 원형으로 형성되며 수송가스와 반응가스를 혼합하여 혼합된 가스를 화학기상증착 반응기로 유입시키기 위한 제1헤드구역(11); 및, 전기한 제1헤드구역(11); 및, 전기한 제1 헤드구역(11)의 반경(r1)보다 더 큰 반경(r2)을 지닌 환형으로 형성되며 수송가스 만을 화학기상증착 반응기로 유입시키기 위한 제2 헤드구역(12)으로 샤워헤드가 분할되어 구성된 것을 특징으로 한다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45565(2013.01)
출원번호/일자 1019950019207 (1995.07.01)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0190909-0000 (1999.01.21)
공개번호/일자 10-1997-0008327 (1997.02.24) 문서열기
공고번호/일자 (19990601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.07.01)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김도현 대한민국 대전광역시유성구
2 정원영 대한민국 대전광역시중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.07.01 수리 (Accepted) 1-1-1995-0081673-34
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.07.01 수리 (Accepted) 1-1-1995-0081672-99
3 특허출원서
Patent Application		 1995.07.01 수리 (Accepted) 1-1-1995-0081671-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0042413-15
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.08.31 수리 (Accepted) 1-1-1995-0081674-80
6 의견서
Written Opinion		 1998.08.31 수리 (Accepted) 1-1-1995-0081675-25
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0468097-59
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.06 수리 (Accepted) 4-1-1999-0030399-30
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 소자 제조시 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 화학기상 증착 반응기의 샤워헤드에 있어서,

일정한 반경(r1)을 지닌 원형으로 형성되며 수송가스와 반응가스를 혼합하여 혼합된 가스를 화학기상증착 반응기로 유입시키기 위한 제1 헤드구역(11); 및,

전기한 제1 헤드구역(11)의 반경(r1)보다 더 큰 반경(r2)을 지닌 환형으로 형성되며 수송가스만을 화학기상증착 반응기로 유입시키기 위한 제2헤드구역(12)으로 샤워헤드를 분할구성으로써, 화학기상증착 반응기로 유입되는 가스의 농도와 속도분포를 조절하여, 가스의 성분, 성분비 및 유량을 독립적으로 조절할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 다구역 샤워헤드

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.