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초고주파용 전계효과 트랜지스터 회로의 게이트단자파형 왜곡 제어회로

  • 기술번호 : KST2015111480
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 초고주파 증폭기나 발진기 등 비선형 동작을 하는 회로에서, 전계효과 트랜지스터의 게이트 정전용량에 따른 임피던스의 비선형성에 의하여 발생하는 파형의 왜곡을 제어하는 회로이다. 초고주파 FET 회로의 게이트 정전용량의 비선형성에 의한 효율의 저하를 제어하기 위하여 종래에 썼던 커패시터 등의 선형소자를 비선형소자인 다이오드로 대체하여, FET의 게이트단자에서의 파형 왜곡을 제어함으로써 초고주파 회로의 전력 변환 효율을 높일 수 있다.
Int. CL H03F 1/32 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1019960049982 (1996.10.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0250628-0000 (2000.01.05)
공개번호/일자 10-1998-0030531 (1998.07.25) 문서열기
공고번호/일자 (20000401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.10.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전계익 대한민국 대전광역시 유성구
2 백재명 대한민국 대전광역시 유성구
3 김동욱 대한민국 대전광역시 중구
4 홍성철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0171157-65
2 특허출원서
Patent Application		 1996.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0171155-74
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0171156-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0193504-71
10 의견서
Written Opinion		 1999.08.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5301726-48
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.08.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5301727-94
12 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0328553-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

FET 게이트단자에 교류신호가 입력되는 초고주파 회로에 있어서, FET의 게이트단자에 다이오드가 연결되되, 다이오드의 음극은 게이트단자에 연결되고, 다이오드의 양극에는 소정전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 초고주파용 FET회로의 게이트단자 파형 왜곡 제어회로

2 2

FET의 게이트단자에 교류신호가 입력되는 초고주파 회로에 있어서, FET의 게이트단자에 음극이 연결되는 다이오드, 다이오드의 양극에 연결되어 상기 다이오드의 정전용량을 변화시키는 가변저항, 다이오드의 양극과 접지 사이에 연결되는 캐패시터로 구성되는 초고주파용 FET 회로의 게이트단자 파형 왜곡 제어회로

3 3

FET의 게이트단자에 교류신호가 입력되는 초고주파 회로에 있어서, FET의 게이트단자에 일측이 연결되는 커패시터, 커패시터의 반대측에 음극이 연결되고 양극은 접지와 연결되는 다이오드, 상기 다이오드의 음극에 연결된 가변저항으로 구성된 초고주파용 FET회로의 게이트단자 파형 왜곡 제어회로

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06222412 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US6222412 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.