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비선형 전력 증폭기에 부분 선형 근사를 적용한 직접 학습 구조 기반의 적응 전치 왜곡 방법

  • 기술번호 : KST2015117128
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 메모리 효과를 갖는 비선형 전력 증폭기(power amplifier with memory)의 선형화를 위한 직접 학습 구조(direct learning architecture)의 전치 왜곡(predistortion) 방법이 개시된다. 구체적으로, 메모리 효과를 나타내는 전력 증폭기의 모델 추정이 용이한 Wiener 모델을 제시하며, 제시하는 Wiener 모델은 메모리 효과를 갖는 선형 필터(linear filter) 및 비선형 특성(nonlinearity)이 단계적으로 연결(cascade)된다. 이때, 전력 증폭기의 비선형 특성을 나타내는 AM/AM(amplitude/amplitude response, 진폭 응답) 및 AM/PM(amplitude/phase response, 위상 응답) 특성을 각각 부분 선형(piecewise linear) 및 부분 상수(piecewise constant) 함수로 근사한다. 전체적인 전력 증폭기의 특성(characteristic) 감정(identification)을 위해서, 선형 필터 추정 후 비선형 특성을 추정하는 2단계 추정을 적용한다. 본 발명에 따르면, 전치 왜곡 구현이 간단하면서도 종래 방식과 동등하거나 그보다 우수한 성능을 나타내는 효과가 있다. 전치 왜곡, 직접 학습 구조, RLS 알고리즘, 부분 선형 함수
Int. CL H03F 3/24 (2006.01) H03F 1/32 (2006.01)
CPC H03F 1/3247(2013.01) H03F 1/3247(2013.01) H03F 1/3247(2013.01) H03F 1/3247(2013.01) H03F 1/3247(2013.01) H03F 1/3247(2013.01)
출원번호/일자 1020090028754 (2009.04.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1040763-0000 (2011.06.03)
공개번호/일자 10-2010-0110429 (2010.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20110610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.03)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이용훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 최성호 대한민국 대전광역시 유성구
3 정의림 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 유완식 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, **층 *T 국제특허법률사무소 (역삼동, 여삼빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0201367-68
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0038749-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0475670-51
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0838023-54
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0838022-19
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0291113-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
비선형 전력 증폭기에 부분 선형 근사를 적용한 직접 학습 구조 기반의 적응 전치 왜곡 방법에 있어서, (a) 전치 왜곡기가 입력 신호 x(n)을 수신하여 출력 신호 y(n)을 출력하며 메모리 효과를 갖는 전력 증폭기가 출력된 출력 신호 y(n)을 입력받아 증폭된 출력 신호 a(n)을 출력하는 단계; (b) 상기 (a) 단계의 입력받은 출력 신호 y(n) 및 증폭된 출력 신호 a(n)으로부터 상기 전력 증폭기를 선형 필터 및 비선형 특성의 단계적 연결로서 모델링하되, 상기 비선형 특성을 (g(n) 및 a(n)은 각각 비선형 부분의 입력 및 출력을 의미한다
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 비선형 특성 진폭 함수의 역함수 를 다음의 수학식과 같이 모델링하는 것을 특징으로 하는 비선형 전력 증폭기에 부분 선형 근사를 적용한 직접 학습 구조 기반의 적응 전치 왜곡 방법
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제3항에 있어서, 상기 (b) 단계는, (b-1) 상기 전력 증폭기의 선형 시불변 필터를 감정하는 단계; 및 (b-2) 상기 비선형 특성을 감정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비선형 전력 증폭기에 부분 선형 근사를 적용한 직접 학습 구조 기반의 적응 전치 왜곡 방법
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제4항에 있어서, 상기 (b-1) 단계는, (b-1-1) 상기 전력 증폭기의 비선형 특성 그래프로부터 선형 특성을 나타내는 첫 번째 구간 [0,b1)을 결정하는 단계; (b-1-2) (모든 q에 대하여 0≤q≤Q, Q+1개의 연속적인 샘플 {y(ni-Q),
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제5항에 있어서, 상기 (b-1-4) 단계의 는 다음의 수학식에 의하여 결정하는 것을 특징으로 하는 비선형 전력 증폭기에 부분 선형 근사를 적용한 직접 학습 구조 기반의 적응 전치 왜곡 방법
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제6항에 있어서, 상기 의 결정에 있어서 을 에 의해 정규화하는 것을 특징으로 하는 비선형 전력 증폭기에 부분 선형 근사를 적용한 직접 학습 구조 기반의 적응 전치 왜곡 방법
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제7항에 있어서, 상기 (b-2) 단계의 비선형 특성 감정은 추정된 상기 를 고정한 후, 및 를 추정하는 것을 특징으로 하는 비선형 전력 증폭기에 부분 선형 근사를 적용한 직접 학습 구조 기반의 적응 전치 왜곡 방법
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제8항에 있어서, 상기 (b-2) 단계는, (b-2-1) 상기 비선형 특성 구간 을 결정하며 각 m(2≤m≤M)에서 (이때, )을 나타내는 인덱스 nim(i=1,2,
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제9항에 있어서, 상기 (b-2-3) 단계의 는 다음의 수학식에 의하여 결정하는 것을 특징으로 하는 비선형 전력 증폭기에 부분 선형 근사를 적용한 직접 학습 구조 기반의 적응 전치 왜곡 방법
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제10항에 있어서, 상기 (c) 단계는, (c-1) 상기 전력 증폭기가 메모리 효과가 없는 경우, 최소 자승(least squares) 비용 함수 를 결정하는 단계; 및 (이며, λ(0003c#λ≤1)는 망각 인자(forgetting factor)이다
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제11항에 있어서, 상기 (c-2) 단계의 w(n)는 다음의 수학식에 의해 결정하는 것을 특징으로 하는 비선형 전력 증폭기에 부분 선형 근사를 적용한 직접 학습 구조 기반의 적응 전치 왜곡 방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 (c) 단계는, (c-3) 상기 전력 증폭기가 메모리 효과를 갖는 경우, 비용 함수를 다음의 수학식과 같이 결정하는 단계; 및 (이며, λ(0003c#λ≤1)는 망각 인자(forgetting factor)이다
14 14
제13항에 있어서, 상기 (c-4) 단계의 는 다음의 수학식에 의해 결정하는 것을 특징으로 하는 비선형 전력 증폭기에 부분 선형 근사를 적용한 직접 학습 구조 기반의 적응 전치 왜곡 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술원 지식경제부 및 정보통신연구진흥원의 IT 핵심기술개발사업 빔 분할 다중 접속과 그룹 협력 중계 기반 5세대 이동통신 시스템 기술 연구