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고방향성 다이아몬드막 CVD 장치 및 막형성 방법

  • 기술번호 : KST2015111537
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘기판 표면상에 고밀도의 플라즈마를 발생시켜 각 다이아몬드막 결정립들이 기판과 동일한 방향성을 갖도록 다이아몬드막을 형성하는 고방향성 다이아몬드막 CVD장치 및 막형성 방법에 관한 것이다. 종래의 다이아몬드막 CVD장치가 갖는 기판지지대의 구조를 변형하여, 기판 전체가 플라즈마에 장입된 상태에서 기판 바로 위에 고밀도 플라즈마를 발생시키면 실리콘기판과 헤테로에피택시 관계를 갖는 핵의 생성밀도를 증가시킬 수 있음에 착안하여, CVD장치의 반응관을 설계하고 막형성 방법을 고안하였다. 이로써, 기판의 걸정방향과 헤테로에피택시관계를 갖고 단결정에 가까운 다이아몬드막이 형성될 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1019960049981 (1996.10.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0230958-0000 (1999.08.25)
공개번호/일자 10-1998-0030530 (1998.07.25) 문서열기
공고번호/일자 (19991115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.10.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재영 대한민국 대전광역시 유성구
2 김윤기 대한민국 대전광역시 유성구
3 용윤중 대한민국 대전광역시 유성구
4 한영수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0171153-83
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0171154-28
3 특허출원서
Patent Application		 1996.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0171152-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0171371-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

플라즈마 내에서 기판 표면에 다이아몬드막을 증착하는 CVD장치에 있어서, 다이아몬드막을 증착할 기판이 탑재되는 기판지지수단; 상기 기판지지수단 상에 장착되는, 기판과 유사한 크기와 형상의 흑연부재; 상기 흑연부재에 탑재된 기판에 음극전위를 공급하기 위해 상기 흑연부재에 연결된 음극전위 공급수단; 상기 흑연부재로부터 일정 거리 떨어진 상부에 설치되는 전극; 및, 상기 기판지지수단, 흑연부재 및 전극을 밀폐시키는 밀폐수단으로 구성된 고방향성 다이아몬드막 CVD장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 전극은 평면 나선형으로 설치되어 그 양단이 접지되는 것을 특징으로 하는 고방향성 다이아몬드막 CVD장치

3 3

제1항에 있어서, 상기 밀폐수단은 부도전성 재질로 된 것을 특징으로 하는 고방향성 다이아몬드막 CVD장치

4 4

수소 플라즈마를 형성하여 기판 표면을 에칭 세척하는 공정; 메탄을 함유한 수소가스를 흘려 반응을 진행하는 탄화처리 공정; 일정 시간 탄화처리를 한 후 기판에 음극전위를 인가하여 반응을 진행하는 음극전위처리 공정; 및 다이아몬드막을 성장하는 공정으로 구성된 다이아몬드막 형성방법에 있어서, 상기 탄화처리 공정, 음극전위처리 공정, 막성장 공정 중에 상기 기판으로부터 소정 거리 떨어진 곳에 고밀도 플라즈마를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고방향성 다이아몬드막 형성방법

5 5

제4항에 있어서, 상기 고밀도 플라즈마 형성공정에서 형성되는 고밀도 플라즈마는 상기 기판과 유사한 크기와 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고방향성 다이아몬드막 형성방법

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1 US6110541 US 미국 DOCDBFAMILY
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