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매립형쇼트키전극을이용한고속수광소자

  • 기술번호 : KST2015111617
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극을 매립시켜 구현할 수 있는 고속 수광 소자에 관한 것으로,매립된 쇼트키 전극을 공통적으로 가지는 소자로 종래의 수광 소자보다 개선된 특징을 갖는다.종래의 수광 소자는 금속 반도체 금속 수광 소자는 쇼트키 전극을 이용하므로 기생 용량이 적고 전자가 포화 속도로 이동하므로 고속 특성을 나타내나 수광 면적이 노출되어 전자,전공의 수의 비가 낮아 지는 단점이 있다. 따라서 전극을 매립시켜 면적의 활용을 높이는 것이 필요하다.소오스(17) 및 드레인(18)을 갖고 있는 고속 수광 소자는 W 전극 게이트(19)과 GaAs 결정 성장층(21)내에 에피택셜 방법으로 매립되고,SiO2 산화막(20)이 반절연성 GaAs 기판(1)위에 GaAs 결정 성장층(21) 양측으로 증착되며,n형 저항성 접촉을 위한 AuGe/Ni층(15)가 GaAs 결정 성장층(21)위에 증착되고,소오스(17) 및 드레인(18)이 서로 교차해서 형성되어,이 드레인과 소오스에 전압을 가하여 빛의 흡수에 의해 드레인과 소오스 사이의 저항이 변하는 경우에,W 전극(19)에 소오스에 대해 역방향 전압을 가할 때 생성된 정공이 W 전극을 통해 끌리게 되어 소자의 회복 시간 특성이 개선되는 것을 특징으로 하는 고속 수광 소자를 얻는다.
Int. CL H01L 31/108 (2006.01.01) H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/06 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01)
CPC H01L 31/1085(2013.01) H01L 31/1085(2013.01) H01L 31/1085(2013.01) H01L 31/1085(2013.01)
출원번호/일자 1019880015427 (1988.11.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0052010-0000 (1992.06.08)
공개번호/일자 10-1990-0008699 (1990.06.03) 문서열기
공고번호/일자 1019920002092 (19920310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.11.23)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권영세 대한민국 서울시중랑구
2 정기웅 대한민국 경기도성남시하
3 김상배 대한민국 대전시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 김성택 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 서울시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.11.23 수리 (Accepted) 1-1-1988-0089730-94
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1988.11.23 수리 (Accepted) 1-1-1988-0089732-85
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1988.11.23 수리 (Accepted) 1-1-1988-0089731-39
4 특허출원서
Patent Application		 1988.11.23 수리 (Accepted) 1-1-1988-0089729-47
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1991.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0049741-52
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1991.08.31 수리 (Accepted) 1-1-1988-0089733-20
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1991.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0089734-76
8 의견서
Written Opinion		 1991.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0089735-11
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1991.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0089736-67
10 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1992.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0049742-08
11 등록사정서
Decision to grant		 1992.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0049744-99
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소오스(17) 및 드레인(18)을 갖고있는 고속 수광소자에 있어서, W 전극 게이트(19)가 GaAs 결정성장층(21)내에 에피택셜 방법으로 매립되고, SiO2산화막(20)이 반절연성 GaAs 기판(1)위에 GaAs 결정성장층(21) 양측으로 증착되며, n형 저항성접촉을 위한 AuGe/Ni층(15)가 GaAs 결정성장층(21)위에 증착되고, 소오스(17) 및 드레인(18)이 서로 교차해서 형성되어, 이 드레인과 소오스에 전압을 가하여 빛의 흡수에 의해 드레인과 소오스 사이의 저항이 변하는 경우에, W 전극(19)에 소오스에 대해 역방향 전압을 가할때 생성된 정공이 W 전극을 통해 끌리게 되어 소자의 회복시간 특성이 개선되는 것을 특징으로 하는 고속 수광 소자

2 2

반절연성 GaAs 기판, 도우핑하지않은 GaAs 결정성장층 및 전극을 포함하는 수광소자에 있어서, 반절연성 GaAs 기판(1)위에 증착한 후 식각공정을 통해 형성된 전극(4,5), 상기 전극(4,5)위에 에피택시 방법으로 형성되어 매립된 쇼트키 구조를 갖는 도핑하지 않은 GaAs 결정성장층(2) 및 상기 전극(4,5) 및 상기 도핑하지 않은 GaAs 결정성장층(2)위의 표면에서 발생될 수 있는 전자·정공의 재결합을 방지하기위해 에피택시 방법으로 형성된 도핑하지 않은 AlGaAs 결정성장층(6)을 포함하는 것을 특징으로 하는 고속수광 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.