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탠덤형 유기/무기 나노다이오드 및 이를 이용한 태양전지

  • 기술번호 : KST2015118261
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체층 위에 금속이 적층되고, 상기 금속 위에 p/n형 유기/무기 반도체층이 적층된 구조를 갖는 나노다이오드 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 본 발명의 나노다이오드는 금속이 그 금속 위에 적층된 p/n형 유기/무기 반도체층(제1광흡수층)의 후면 전극역할을 하면서 동시에 상기 제1광흡수층에서 흡수되지 못한 빛을 다시 흡수하는 제2광흡수층으로 이용된다. 이때 핫 전자의 생성과 검출 원리를 이용하기 위해 후면 전극 밑에 증착되어 있는 반도체층이 후면 전극인 금속과 반도체층 사이에 생성된 쇼트키 장벽을 통해 금속에서 생성되는 핫 전자를 효율적으로 수집하게 되고, 뿐만 아니라 최종적으로 반도체층은 직접적인 광흡수를 수행함으로써 나노다이오드의 광흡수 전환 효율을 극대화시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/06 (2006.01)
CPC H01L 27/302(2013.01) H01L 27/302(2013.01) H01L 27/302(2013.01) H01L 27/302(2013.01) H01L 27/302(2013.01)
출원번호/일자 1020120067369 (2012.06.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1430937-0000 (2014.08.11)
공개번호/일자 10-2014-0003682 (2014.01.10) 문서열기
공고번호/일자 (20140819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정영 미국 대전 유성구
2 이영근 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0498831-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0620894-43
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0998839-15
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-1104193-74
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0006237-29
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0104016-12
8 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2014.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0018047-70
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0208102-57
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0208100-66
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0369034-73
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체층 위에 금속이 적층되고, 상기 금속 위에 p/n형 유기/무기 반도체층이 적층된 구조를 갖고, 상기 금속은 광흡수층으로 사용되어 표면 플라즈몬의 생성을 통해 핫 전자(hot electron)의 생성을 증폭시키는 것을 특징으로 하는 나노다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 금속은 p/n형 유기/무기 반도체층 아래에 옴 접촉(Ohmic contact)을 통하여 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 금속에서 생성된 핫 전자는 하부의 반도체층과 접촉을 통해 형성된 쇼트키 장벽을 통해 반도체 층으로 수집되는 것을 특징으로 하는 나노다이오드
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속은 표면이 나노구조물화된 박막금속, 금속나노섬, 금속나노선 및 유기염료-나노금속복합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노다이오드
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속은 금(Au), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노다이오드
5 5
제1항에 있어서, 상기 p/n형 유기/무기 반도체층은 MDMO-PPV, PPDFV, P3HT, PCPDTBT, F8T2, PDTSBT 및 PFDTBT로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 p형 유기 반도체층과 PCBM-60, mKMC60s, dKMC60s, PCBM-70, bis-PCBM 및 modified PCBMs로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 n형 유기 반도체층으로 구성되는 p/n형 유기 반도체층이거나, 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 실리콘카바이트(SiC), 카드뮴텔루르(CdTe) 카드뮴셀레나이드(CdSe), 갈륨포스페이트(GaP), 갈륨아세나이드(GaAs) 및 갈륨나이트나이드(GaN)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 p/n형 무기 반도체층인 것을 특징으로 하는 나노다이오드
6 6
제1항에 있어서, 상기 반도체층의 반도체는 산화물 반도체, 4족 반도체 및 화합물 반도체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노다이오드
7 7
제1항에 있어서, 상기 반도체층은 티타늄디옥사이드(TiO2), 세리움옥사이드(CeO2), 나이오븀옥사이드(NbO2), 카드뮴텔루르(CdTe), 갈륨아세나이드(GaAs), 산화아연(ZnO), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 실리콘카바이트(SiC), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 갈륨포스페이트(GaP) 및 갈륨나이트나이드(GaN)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노다이오드
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 나노다이오드를 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 중견연구자지원사업(도전) 핫전자 물리 및 화학의 연구