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화학증착법에의한질화갈륨박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015111722
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자 및 광학소자의 절연막으로 사용되는 질화갈륨의 박막제조방법에 관한 것으로 질화갈륨 박막의 단일선구물질인 Me2(N3)Ga:NH3, Et2(N3)Ga:NH3, Me2(N3)Ga:NH2tBu, Et2(N3)Ga:NH2tBu를 비교적 높은 수율로 합성하여 가열하지 않고 실온에서 증기를 얻을 수 있는 단일선구물질인 Me2(N3)Ga:NH3 와 Et2(N3)Ga:NH3 를 사용하여 비교적 낮은 증착 온도인 450℃∼550℃에서 질화갈륨박막을 제조하였다. 기질로는 값비싼 사파이어 기질을 쓰지 않고 비교적 값싼 규소(111) 웨이퍼를 사용하여 경제적인 질화갈륨 박막의 제조와 대면적의 박막증착이 가능하다. 형성된 박막을 분석한 결과 갈륨과 질소가 1 : 1 의 조성비로 구성되었으며 (0002) 방향으로 우선배향성을 가지고 잘 성장하였음을 확인하였다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC C23C 16/303(2013.01)
출원번호/일자 1019980005072 (1998.02.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0291200-0000 (2001.03.08)
공개번호/일자 10-1999-0070310 (1999.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20011025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.02.19)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박준택 대한민국 대전광역시 유성구
2 김윤수 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.02.19 수리 (Accepted) 1-1-1998-0016165-53
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.02.19 수리 (Accepted) 1-1-1998-0016164-18
3 특허출원서
Patent Application		 1998.02.19 수리 (Accepted) 1-1-1998-0016163-62
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0052846-90
11 의견서
Written Opinion		 2000.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2000-5138688-58
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.05.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5138689-04
13 등록사정서
Decision to grant		 2000.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0327866-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화학증착법에 의한 규소(111)웨이퍼 위에 단일선구물질인 유기갈륨 화합물을 화학증착하여 질화갈륨막을 형성하는 것을 특징으로 하는 화학증착법에 의한 질화갈륨박막의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 규소(100)와 사파이어를 기질로 사용하는 것을 특징으로 하는 화학증착법에 의한 질화갈륨박막의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 단일선구물질은 일반식[l]로 표시되는 유기갈륨화합물인 것을 특징으로 하는 화학증착법에 의한 질화갈륨박막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.