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컬렉터의 역방향 선택적 식각을 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015111900
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 컬렉터의 역방향 선택적 식각을 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 컬렉터의 역방향 선택적 식각을 이용하여 간단히 기생 캐패시턴스를 감소시키고 구조적으로 안정된 소자를 만들 수 있는 기술에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 일반적인 HBT 구조에서의 서브컬렉터층과 컬렉터층 사이에 서브컬렉터층을 보호하는 식각방지층 및 빠른 측면 식각율을 가지는 에피층을 추가로 제공하고, 먼저 빠른 측면 식각율을 가지는 에피층에 대해 선택적 측면 식각을 수행하고, 다음에 상기 에피층의 식각에 의해 얻어진 패턴을 마스크로 사용하여 컬렉터층에 대해 하부로부터 선택적 습식식각을 수행함으로써 베이스-컬렉터간의 기생 캐패시턴스를 감소시킨다.기생 커패시턴스, InP층, InGaAs층, DHBT, 하부 결정방향, 선택식각
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010065567 (2001.10.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0456037-0000 (2004.10.28)
공개번호/일자 10-2003-0033547 (2003.05.01) 문서열기
공고번호/일자 (20041115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.10.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤명훈 대한민국 인천광역시부평구
2 양경훈 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2001-0272544-09
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-5066818-55
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0039804-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0479065-00
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
7 의견서
Written Opinion		 2004.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2004-0016073-72
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0016075-63
9 의견서
Written Opinion		 2004.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0031308-14
10 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0031310-06
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
12 등록결정서
Decision to grant		 2004.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0306691-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판(100) 상에 InGaAs 서브컬렉터층(102), 측면식각이 어려운 InP 컬렉터층(108), InGaAs 베이스층(110)이 차례로 적층되고, 상기 InGaAs 베이스층(110) 상에 에미터층(112, 114, 116)과 에미터 메탈층(118)으로 구성되는 에미터 영역이 형성된 구조를 가지며, 상기 InGaAs 베이스층(110) 상에 에미터 영역 보호용 포토레지스트층(120)을 제공한후 상기 포토레지스트층(120)을 마스크로 사용하여 상기 InGaAs 베이스층(110)과 InP 컬렉터층(108)의 측면을 선택적으로 식각하는 InGaAs 베이스층과 InP 컬렉터층의 선택적 식각 단계를 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 있어서,

상기 InGaAs 서브컬렉터층(102)과 InP 컬렉터층(108) 사이에 상기 InGaAs 서브컬렉터층(102)을 보호하는 InP 식각방지층(104) 및 빠른 측면 식각율을 가지는 InGaAs 에피층(106)을 제공하는 단계와;

상기 InGaAs 베이스층(110)과 InP 컬렉터층(108)의 선택적 식각 단계이후에, 상기 InGaAs 에피층(106)을 선택적으로 측면 식각하여 상기 InP 컬렉터층(108)의 하부 및 InP 식각방지층(104)을 노출시키는 단계와;

상기 식각된 InGaAs 에피층(106)의 패턴을 이용하여 상기 노출된 InP 컬렉터층(108)을 하부로부터 역방향으로 비등방성 식각하는 단계를 더 포함하며, 이때 상기 InP 식각방지층(104)도 식각되어 상기 InGaAs 서브컬렉터층(102)의 상부가 노출되며;

상기 에미터 영역 보호용 포토레지스트층(120)을 제거한후 메탈층(122), 베이스 메탈층(122a) 및 컬렉터 메탈층(122b)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬렉터의 역방향 선택적 식각을 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP15133326 JP 일본 FAMILY
2 US06780702 US 미국 FAMILY
3 US20030077870 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2003133326 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2003077870 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US6780702 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.