맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

ＳｉＧｅ 에피층의 산화막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015111911
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SiGe 에피층의 산화막 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 SiGe/Si 이종접합구조의 산화막 형성방법에 관한 것이다.본 발명은 SiGe 에피층 내에서 Ge의 농도를 불균일하게 하고 이러한 SiGe 에피층과 Si층을 결합시킨 SiGe/Si 이종접합구조를 산화 및 열처리하여 Ge의 축적이나 결함이 없는 산화막을 형성함으로써SiGe/Si 이종접합구조를 이용한 전계효과 트렌지스터에 사용되는 산화막으로서, 기존 Si의 열적 산화 공정과 호환이 가능하여 추가의 장치를 필요로 하지않아 제작 비용이 저렴하고, 물성이 우수한 SiO2 산화막을 SiGe 에피층의 열적 산화를 통하여 제공하는 것을 목적으로 한다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01)
출원번호/일자 1020010044308 (2001.07.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0426956-0000 (2004.03.31)
공개번호/일자 10-2003-0009730 (2003.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20040417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.07.23)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임영수 대한민국 대전광역시대덕구
2 정종석 대한민국 경상남도산청군
3 이정용 대한민국 대전광역시유성구
4 김홍승 대한민국 대전광역시유성구
5 문대원 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2001-0181665-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2003-0023330-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0251967-87
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0326798-57
6 의견서
Written Opinion		 2003.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-0326799-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0070100-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

SiGe 에피층의 산화막 형성방법에 있어서,

SiGe 에피층 표면으로부터 SiGe 에피층과 Si층의 경계면으로 갈수록 Ge농도가 증가하는 불균일한 Ge 농도를 함유하는 SiGe 에피층과 Si층으로 이루어진 SiGe/Si 이종접합층을 산화시키는 단계와;

상기 산화된 SiGe/Si 이종접합층을 열처리를 하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 SiGe 에피층의 산화막 형성방법
2 2

제 1 항에 있어서, SiGe 에피층에서 Ge 농도는 50% 이하 임을 특징으로 하는 SiGe 에피층의 산화막 형성방법
3 3

삭제
4 4

제 1 항에 있어서, SiGe 에피층의 산화는 700∼1000℃에서 이루어짐을 특징으로 하는 SiGe 에피층의 산화막 형성방법
5 5

제 1 항에 있어서, 열처리는 800∼1000℃에서 이루어짐을 특징으로 하는 SiGe 에피층의 산화막 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.