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실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층을 형성하는 단계와, 실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 성장시키는 단계와, 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 고품위 실리콘 박막을 분리하는 단계와, 분리된 고품위 실리콘 박막을 실리콘 기판과 다른 이종기판에 접합시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 실리사이드 에피택시층을 이용한 실리콘 박막의 전이방법
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실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층을 형성하는 단계와, 실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 성장시키는 단계와, 고품위 실리콘 박막을 실리콘 기판과 다른 이종기판에 접합시키는 단계와, 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 이종기판에 접합된 고품위 실리콘 박막을 실리콘 기판으로부터 분리하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 실리사이드 에피택시층을 이용한 실리콘 박막의 전이방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 실리사이드 에피택시층은 실리콘 기판과 격자상수가 유사한 실리사이드 임을 특징으로 하는 전이방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 고품위 실리콘 박막 증착 후 박막의 특성을 향상시키기 위해 열처리를 실시함을 특징으로 하는 전이방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 실리사이드 에피택시층은 분자선법, 이온주입법, 반응성 증착법, 스퍼터링법, 진공증발법 또는 화학기상증착법을 이용하여 증착하고, 열처리를 형성됨을 특징으로 하는 전이방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 고품위 실리콘 박막은 스퍼터링법, 진공증밥법, 분자선법, 화학기상증착법 또는 LPE법을 이용하여 직접 실리사이드 에피택시층 위에 형성함을 특징으로 하는 전이방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 실리콘 박막은 저압 화학기상증착법(LPCVD) 또는 플라즈마 증착(PECVD)법으로 실리사이드 에피택시층 위에 비정질 실리콘 박막을 증착한 뒤 재결정화하여 결정질 실리콘 박막을 형성함을 특징으로 하는 전이방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 실리사이드 에피택시층의 선택적 제거는 화학적 식각방법 또는 플라즈마 식각방법을 이용하여 실시함을 특징으로 하는 전이방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 실리콘 박막을 이종기판에의 접합은 직접 접착법, 양극산화처리에 의한 접합법, 금속(metal), 유기물 또는 고분자(polymer)를 접착물질로 하는 접합법 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 실시함을 특징으로 하는 전이방법
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제3항에 있어서, 실리사이드 에피택시층은 CoSi2 또는 NiSi2 임을 특징으로 하는 전이방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 고품위 실리콘 박막의 전이 공정 이후, 분리된 실리콘 기판을 실리사이드 에피택시층의 기판으로 재사용 함을 특징으로 하는 전이방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 고품위 실리콘 박막의 전이 공정 이후, 분리된 실리콘 기판을 실리사이드 에피택시층의 기판으로 재사용 함을 특징으로 하는 전이방법
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