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기판 위에 InP와 격자 결합된 4원소 화합물 반도체로 된 버퍼층, 채널층, 장벽층 및 캡층을 차례로 적층하는 단계와;HEMT(High Electron Mobility Transistor)와 도파로 형 MSM(Metal-Semiconductor-Metal) 광검출기의 영역을 제외한 상기 버퍼층, 채널층, 장벽층 및 캡층을 제거하여 상기 HEMT와 상기 도파로 형 MSM 광검출기에 각기 대응하는 메사(Mesa)를 형성하는 단계와;상기 HEMT의 소스 전극과 상기 HEMT의 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 HEMT의 게이트 전극이 형성될 영역과 상기 도파로 형 MSM 광검출기의 쇼트키 전극이 형성될 영역의 상기 캡층을 제거하는 단계와;상기 캡층이 제거된 영역에 상기 HEMT의 게이트 전극과 상기 도파로 형 MSM 광검출기의 쇼트키 전극을 선택적으로 형성하는 단계와;상기 MSM 광검출기의 광도파로가 형성될 영역의 상기 캡층, 장벽층, 및 채널층을 제거하여 상기 버퍼층이 드러나도록 하는 단계와;상기 각 소자를 보호하기 위한 패시베이션(Passivation)을 하는 단계를 포함하는 광 수신기 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 InP 기판인 것을 특징으로 하는 광 수신기 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 4원소 화합물 반도체는, InGaAsP(λ≤1
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삭제
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 채널층은, InGaAs인 것을 특징으로 하는 광 수신기 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 장벽층은, 변조 도핑을 포함하는 InAlAs인 것을 특징으로 하는 광 수신기 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 캡층은, n+-InGaAs 또는, n+-InP인 것을 특징으로 하는 광 수신기 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 버퍼층, 채널층, 장벽층, 및 캡층의 적층은, MOCVD(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition) 방법 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 광 수신기 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 HEMT와 도파로 형 MSM 광검출기의 영역을 제외한 상기 버퍼층, 채널층, 장벽층, 및 캡층 제거는, 건식 식각 또는 습식 식각으로 수행되는 것을 특징으로 하는 광 수신기 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전극은 금속인 것을 특징으로 하는 광 수신기 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 HEMT의 게이트 전극이 형성될 영역과 상기 도파로 형 MSM 광검출기의 쇼트키 전극이 형성될 영역의 상기 캡층 제거는, 건식 식각 또는 습식 식각으로 수행되는 것을 특징으로 하는 광 수신기 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 도파로형 MSM 광검출기에 연결된 광도파로 끝에 경사면을 만드는 단계와;제 2 기판에 광섬유를 얹을 수 있는 V-홈을 형성하되 상기 V-홈의 끝이 경사지도록 하는 단계와;상기 도파로형 MSM 광검출기와 상기 제 2 기판을 결합하고 상기 제 2 기판에 얹어진 광섬유와 상기 도파로 형 MSM 광 검출기가 광 결합하도록 하는 단계를 더 포함하는 광 수신기 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 2 기판은, 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 광 수신기 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 V-홈에 형성된 경사의 각도는, 54
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