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원자층증착법에 의한 TaN 박막형성은 Ta을 포함한 무기화합물 전구체와 반응가스를 이용하여 Ta 단위 원소를 원자층으로 형성시키는 제 1단계와, 질소(N) 소스를 주입하여 질화시켜 TaN 원자층을 형성시키는 제 2단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN 증착방법
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제 1항에 있어서, 제 1단계는 (a) Ta 소스 가스를 증착실내로 유입하는 단계와 (b) Ta 소스 가스를 증착실로부터 퍼지하는 단계와 (c) 수소 플라즈마를 발생시켜 상기 반도체 기판상에 흡착된 상기 Ta 소스 가스로부터 Ta 원자층을 형성시키는 단계와, (d) 상기 Ta 소스와 수소 플라즈마의 반응으로 발생된 반응 부산물을 퍼지하는 단계와, 제 2단계는 (e) 질소 소스 가스를 증착실내로 유입하여 상기 반도체 기판상에 형성된 Ta 원자층과의 반응으로 TaN 원자층을 형성시키는 단계와, (f) 상기 질소 소스 가스를 증착실로부터 퍼지하는 단계를 구비하여 상기 반도체 기판상에 TaN 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 2항에 있어서, 상기 Ta 소스 가스는 Ta을 포함하는 무기 화합물인 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 2항에 있어서, 상기 Ta 소스 가스는 TaF5인 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 2항에 있어서 상기 퍼지 가스는 H2와 Ar인 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 2항에 있어서 상기 Ta 원자층을 형성하기 위한 반응가스는 수소 플라즈마 뿐 아니라 수소를 함유하는 모든 반응가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 2항에 있어서, 상기 질소 소스 가스는 질소를 함유하는 모든 반응가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 2항에 있어서, 상기 질소 소스 가스는 NH3인 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 2항에 있어서, 상기 반도체 기판의 온도를 200∼350℃로 하고 상기 챔버 내의 공정압력은 3torr로 하는 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 2항에 있어서, 상기 Ta 소스 가스가 상기 증착실 내로 원활하게 유입되도록 하기 위하여 상기 Ta 소스 가스와 운반가스를 혼합하여 상기 증착실 내로 유입하는 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 10항에 있어서, 상기 운반가스는 H2 또는 Ar인 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 (a)단계 내지 (f)단계를 반복하여, 상기 반도체 기판상에 증착되는 TaN막의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 (a)단계 내지 (d)단계를 수차례 반복한 다음 상기 (e)단계 내지 (f)단계를 수행하여 TaN막을 증착하는 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 (a)단계 내지 (d)단계를 수차례 반복한 다음 상기 (e)단계 내지 (f)단계를 수행하는 것을 반복하여 상기 반도체 기판상에 증착되는 TaN막의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 2단계 원자층증착법에 의한 TaN의 증착방법
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