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박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015112499
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 절연 기판 위에 비정질 규소막을 형성하는 단계, 비정질 규소막 위에 요철을 가지는 희생막을 형성하는 단계, 희생막 위에 금속판을 접촉시킨 후 열처리함으로써 비정질 규소막을 결정화하여 다결정 규소막을 형성하는 단계, 금속판 및 희생막을 제거하는 단계, 다결정 규소막을 패터닝하여 반도체를 형성하는 단계, 반도체를 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 위에 반도체와 일부분이 중첩하는 게이트선을 형성하는 단계, 반도체의 소정 영역에 도전형 불순물을 고농도로 도핑하여 소스/드레인 영역을 형성하는 단계, 게이트선 및 반도체를 덮도록 층간 절연막을 형성하는 단계, 층간 절연막 위에 소스/드레인 영역과 연결되는 데이터선 및 출력 전극을 형성하는 단계를 형성하는 단계를 포함한다.MIC, 박막트랜지스터, 누설전류
Int. CL G02F 1/136 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060077295 (2006.08.16)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0015666 (2008.02.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재범 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 장영진 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 최윤석 대한민국 경기도 수원시 권선구
4 심승환 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 조한나 대한민국 충청북도 청주시 상당구
6 신중훈 대한민국 대전광역시 유성구
7 고준영 대한민국 강원도 강릉시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0582922-75
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0640701-31
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0632137-19
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0632136-74
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.08.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0071857-14
8 등록결정서
Decision to grant
2012.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0669664-06
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
절연 기판 위에 비정질 규소막을 형성하는 단계,상기 비정질 규소막 위에 요철을 가지는 희생막을 형성하는 단계,상기 희생막 위에 금속판을 접촉시킨 후 열처리함으로써 상기 비정질 규소막을 결정화하여 다결정 규소막을 형성하는 단계,상기 금속판 및 상기 희생막을 제거하는 단계,상기 다결정 규소막을 패터닝하여 반도체를 형성하는 단계,상기 반도체를 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 게이트 절연막 위에 상기 반도체와 일부분이 중첩하는 게이트선을 형성하는 단계,상기 반도체의 소정 영역에 도전형 불순물을 고농도로 도핑하여 소스/드레인 영역을 형성하는 단계,상기 게이트선 및 반도체를 덮도록 층간 절연막을 형성하는 단계,상기 층간 절연막 위에 상기 소스/드레인 영역과 연결되는 데이터선 및 출력 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
2 2
제1항에서,상기 요철은 규칙적으로 형성되어 있는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
3 3
제1항에서,상기 희생막의 두께는 수십~수천Å인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
4 4
제1항에서,상기 희생막은 SiON, SiO2, SiNx 중 어느 하나로 형성되어 있는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
5 5
제1항에서,상기 금속판은 니켈판인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01890327 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01890327 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP20047919 JP 일본 FAMILY
4 US07754549 US 미국 FAMILY
5 US20080044965 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP1890327 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1890327 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2008047919 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2008044965 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US7754549 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.