| 1 |
1
기판 위에 형성된 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 다결정 실리콘 박막을 형성하는 단계; 및결정화된 다결정 실리콘 박막 위에 실리콘 에피택시 층을 성장시키는 단계를 포함하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 기판은 유리판, 석영판, 비전도성 비정질 산화막 또는 질화막이 피복된 유리판, 석영판, 및 실리콘 웨이퍼 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 비정질 실리콘 박막은 기판에 화학기상증착법, 스퍼터링법 또는 진공증발법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 비정질 실리콘 박막의 결정화는 금속, 금속 화합물 및 이들의 혼합물에서 선택된 어느 하나를 비정질 실리콘 박막 위에 증착한 후 열처리하는 단계로 수행되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 비정질 실리콘 박막의 결정화는 금속, 금속 화합물 및 이들의 혼합물을 함유한 용액이나 기체를 공급한 후 열처리하는 단계로 수행되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 비정질 실리콘 박막의 결정화는 산화물이나 질화물 덮개층을 비정질실리콘 박막 위에 형성하고, 열처리하여 결정화하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서, 비정질 실리콘 박막의 결정화는 비정질 실리콘 박막에 금속을 가한 뒤 측면 방향으로 결정화를 진행하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 8 |
8
제 4항 내지 제 7항 중 선택된 어느 한 항에 있어서, 금속은 Au, Ag, Cu, Ni, Al 및 Pd로 구성되는 군에서 선택되어지는 어느 하나 또는 이들 금속이 함유된 금속 화합물, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서, 비정질 실리콘 박막의 결정화는 발열체에 의한 가열방법, 전자기파, 마이크로파에 의한 가열방법, 및 레이저에 의한 가열방법으로 구성되는 군에서 선택되어지는 어느 하나의 방법에 의해 열처리함을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서, 다결정 실리콘 박막 위에 형성되는 실리콘 에피택시층은 기상 에피택시법, 고상 에피택시법 및 액상 에피택시법으로 구성되는 군에서 선택되어지는 어느 하나의 방법을 이용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 11 |
11
제 1항에 있어서, 실리콘 에피택시 층을 성장시킨 이후에 진공, 수소, 산소 및 불활성 기체 분위기로 구성되는 군에서 선택되어지는 어느 하나의 분위기에서 추가적인 열처리를 실시하는 것을 포함하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법
|
| 12 |
12
삭제
|
