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플렉시블 다결정 실리콘 박막 소자 제조를 위한 기판 재료에 있어서, 내열성의 운모 기판위에 전자소자 제작의 안정성 향상을 위하여 버퍼층이 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조
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제1항에 있어서, 운모 기판 위의 버퍼층은 한 층 또는 다층 형태의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조
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제1항에 있어서, 운모 기판 위의 버퍼층은 접착층, 보호층 또는 차단층의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조
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제3항에 있어서, 접착층은 타이타늄, 타이타늄 혼합물 또는 타이타늄 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조
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제3항에 있어서, 보호층은 탄탈륨, 탄탈륨 혼합물 또는 탄탈륨 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조
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제3항에 있어서, 차단층은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조
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운모 기판위에 티타늄 접착층과 탄탈륨 보호층 및 실리콘 산화물 차단층을 갖는 버퍼층을 형성시킨 후, 다결정 실리콘 박막이 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조의 제조방법
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제 7항에 있어서, 버퍼층은 운모 기판위에 티타늄 접착층을 형성하는 단계와, 티타늄위에 탄탈륨 보호층을 형성하는 단계와, 탄탈륨위에 실리콘 산화물 차단층을 형성하는 단계로 구성되어 실리콘 산화물위에 다결정 실리콘 박막이 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조의 제조방법
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, 다결정 실리콘 박막의 형성 및 플렉시블 다결정 실리콘 전자소자의 제조는 물리기상증착법, 화학기상증착법, 고상결정화법, 금속유도결정화법 또는 레이저 결정화법 중에서 선택된 어느 하나 이상의 방법으로 증착시키는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조의 제조방법
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제 8항에 있어서, 접착층은 10∼500nm 두께의 타이타늄 및 TiAlx, TiWx, TiOx, TiNx 의 타이타늄 혼합물 또는 타이타늄 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조의 제조방법
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제 8항에 있어서, 보호층은 20∼200nm 이상의 탄탈륨 및 TaSix, TaAlx, TaWx, TaOx, TaNx의 탄탈륨 혼합물 또는 탄탈륨 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조의 제조방법
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제 8항에 있어서, 차단층은 100nm∼1㎛ 두께의 SiOx, SiNx, SiOxNy 의 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 구조의 제조 방법
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플렉시블 다결정 실리콘 전자소자가 아닌 다른 전자소자 제조를 위한 기판으로 운모를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자소자
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