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(a) 마이크로 전자기계 시스템(Micro Electro Mechanical Systems ; MEMS) 소자가 형성된 기판 상에 희생층을 증착하는 단계;(b) 상기 희생층 상부에 다공성 산화피막층을 형성하는 단계;(c) 상기 다공성 산화피막층에 형성된 다수의 기공을 통해 상기 다공성 산화피막층이 형성된 희생층의 내부를 식각하는 단계; 및(d) 상기 내부가 식각된 희생층 상에 차폐층을 형성하는 단계;를 포함하는 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
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제1항에 있어서,상기 희생층은 알루미늄(Al)인, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 희생층 상부가 노출되도록 포토레지스트를 패터닝하는 단계; 및상기 노출된 희생층 상부를 양극산화(Anodizing)하여 상기 다공성 산화피막층을 형성하는 단계;를 포함하는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 산화피막층이 형성된 희생층의 내부는 상기 다공성 산화피막층의 기공을 통해 상기 마이크로 전자기계 시스템 소자와 상기 다공성 산화피막층이 형성된 희생층이 서로 이격되도록 습식 식각되는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
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제1항에 있어서,상기 차폐층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 카바이드(Silicon Carbide) 중 어느 하나 이상을 포함하는, 마이크로 전자기계 시스템 소자의 패키징 방법
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기판 상에 형성된 마이크로 전자기계 시스템(Micro Electro Mechanical Systems ; MEMS) 소자;상부에 다공성 산화피막층이 형성되어, 상기 기판 상에서 상기 마이크로 전자기계 시스템 소자를 둘러싸는 지지층; 및상기 지지층 상에 형성된 차폐층;을 포함하는 마이크로 전자기계 시스템
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제6항에 있어서,상기 지지층은 알루미늄(Al)인, 마이크로 전자기계 시스템
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제6항에 있어서,상기 다공성 산화피막층은 양극산화(Anodizing)되어 형성된, 마이크로 전자기계 시스템
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제6항에 있어서,상기 지지층의 내부와 상기 마이크로 전자기계 시스템 소자가 서로 이격된, 마이크로 전자기계 시스템
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제6항에 있어서,상기 차폐층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 카바이드(Silicon Carbide) 중 어느 하나 이상을 포함하는, 마이크로 전자기계 시스템
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