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전압 제어 장치 및 구동 방법

  • 기술번호 : KST2015113578
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전압 제어 장치 및 구동 방법에 관한 것이다. 본 발명의 전압 제어 장치는 비교부 전류 공급부, PMOS 비교부 및 NMOS 비교부를 포함한다. 비교부 전류 공급부는 출력 전류 생성을 위한 전류를 공급한다. PMOS 비교부는 입력 단자에 인가되는 입력 전압을 제1 기준 전압 및 제2 기준 전압과 비교하며, 비교 결과에 따라 비교부 전류 공급부로부터 전달되는 공급 전류를 전달하는 경로를 형성하여 출력 전류를 생성한다. NMOS 비교부는 입력 전압을 제2 기준 전압 및 제3 기준 전압과 비교하며, 비교 결과에 따라 비교부 전류 공급부로부터 전달되는 공급 전류를 전달하는 경로를 형성하여 출력 전류를 생성한다. 이때, 제1 기준 전압은 문턱 전압보다 작은 값으로 설정되고, 제2 기준 전압은 문턱 전압보다 큰 값으로 설정되며, 제3 기준 전압은 제2 기준 전압보다 큰 값으로 설정된다.전압 제어 장치, 낮은 전원 전압, 문턱 전압, 이득 제어 범위, 커런트 미러(Current Mirror)
Int. CL H03G 3/10 (2006.01) H03G 3/02 (2006.01)
CPC H03G 3/007(2013.01) H03G 3/007(2013.01) H03G 3/007(2013.01)
출원번호/일자 1020080113587 (2008.11.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1109131-0000 (2012.01.17)
공개번호/일자 10-2010-0054605 (2010.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20120215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.14)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심윤아 대한민국 경기 성남시 중원구
2 이상국 대한민국 대구 중구
3 이정선 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0788761-65
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0414077-62
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0477818-08
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011802-49
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0392798-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0715663-58
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0715662-13
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0279323-15
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0561346-12
11 등록결정서
Decision to grant
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0712493-59
12 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2012.01.17 수리 (Accepted) 2-1-2012-0031647-21
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
출력 전류 생성을 위한 전류를 공급하는 비교부 전류 공급부,입력 단자에 인가되는 입력 전압을 제1 기준 전압(BV1) 및 제2 기준 전압(BV2)과 비교하며, 비교 결과에 따라 상기 비교부 전류 공급부로부터 전달되는 공급 전류를 전달하는 경로를 형성하여 출력 전류를 생성하는 PMOS 비교부, 그리고상기 입력 전압을 제2 기준 전압(BV2) 및 제3 기준 전압(BV3)과 비교하며, 비교 결과에 따라 상기 비교부 전류 공급부로부터 전달되는 공급 전류를 전달하는 상기 경로를 형성하여 상기 출력 전류를 생성하는 NMOS 비교부를 포함하며,상기 제1 기준 전압(BV1)은 문턱 전압보다 작은 값으로 설정되고, 상기 제2 기준 전압(BV2)은 상기 문턱 전압보다 큰 값으로 설정되며, 상기 제3 기준 전압(BV3)은 상기 제2 기준 전압(BV2)보다 큰 값으로 설정되는 전압 제어 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 입력 전압이 상기 제1 기준 전압(BV1)보다 작으면, 상기 PMOS 비교부의 제1 경로를 통해 상기 출력 전류를 생성하며,상기 입력 전압이 상기 제2 기준 전압(BV2)과 제3 기준 전압(BV3) 사이면, 상기 PMOS 비교부의 상기 제1 경로와 다른 제2 경로를 통해 상기 출력 전류를 생성하며,상기 입력 전압이 상기 제2 기준 전압(BV2)과 제3 기준 전압(BV3) 사이면, 상기 NMOS 비교부의 제3 경로를 통해 상기 출력 전류를 생성하며,상기 입력 전압이 상기 제3 기준 전압(BV3)보다 크면, 상기 NMOS 비교부의 상기 제3 경로와 다른 제4 경로를 통해 상기 출력 전류를 생성하는 전압 제어 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 경로의 출력 전류를 전달하는 제1 트랜지스터(M15), 상기 제2 경로의 출력 전류를 전달하는 제2 트랜지스터(M16), 상기 제3 경로의 출력 전류를 전달하는 제3 트랜지스터(M17) 및 상기 제4 경로의 출력 전류를 전달하는 제4 트랜지스터(M18)를 포함하는 출력부를 더 포함하는 전압 제어 장치
4 4
제2항에 있어서,상기 PMOS 비교부는,차동 증폭기 형태로 연결된 PMOS 타입의 제5 및 제6 트랜지스터(M5, M6)를 포함하며,상기 입력 전압이 상기 제1 기준 전압(BV1)보다 작으면, 상기 제5 트랜지스터(M5)를 턴온하여 상기 출력 전류를 생성하며, 상기 입력 전압이 상기 제1 기준 전압(BV1)과 상기 제2 기준 전압(BV2) 사이면, 상기 제6 트랜지스터(M6)를 턴온하여 상기 출력 전류를 생성하는 전압 제어 장치
5 5
제2항에 있어서,상기 NMOS 비교부는,차동 증폭기 형태로 연결된 제7 및 제8 트랜지스터(M3, M4)를 포함하며,상기 입력 전압이 상기 제2 기준 전압(BV2)과 상기 제3 기준 전압(BV3) 사이면, 상기 제7 트랜지스터(M3)를 턴온하여 상기 출력 전류를 생성하며,상기 입력 전압이 상기 제3 기준 전압(BV3)보다 크면, 상기 제8 트랜지스터(M4)를 턴온하여 상기 출력 전류를 생성하는 전압 제어 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 NMOS 비교부는,차동 증폭기 형태로 연결된 제9 및 제10 트랜지스터(M1, M2)를 더 포함하며,상기 입력 전압이 상기 제1 기준 전압(BV1) 또는 상기 제2 기준 전압(BV2)보다 작은 경우, 상기 제9 트랜지스터(M1)를 턴온시켜 상기 PMOS 비교부로 상기 공급 전류를 전달하며,상기 입력 전압이 상기 제2 기준 전압(BV2) 또는 상기 제3 기준 전압(BV3)보다 큰 경우, 상기 제10 트랜지스터(M2)를 턴온시켜 상기 제7 트랜지스터(M3) 또는 상기 제8 트랜지스터(M4)로 상기 공급 전류를 전달하는 전압 제어 장치
7 7
청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
8 8
제1 전압(GND)을 공급하는 제1 전원에 소스 전극이 연결되어 있는 제1 트랜지스터(M9),상기 제1 트랜지스터(M9)의 드레인 전극에 각각의 소스 전극이 연결되어 있으며, 차동 증폭기 형태로 연결되어 있는 제2 및 제3 트랜지스터(M1, M2),상기 제3 트랜지스터(M2)의 드레인 전극에 각각의 소스 전극이 연결되어 있으며, 차동 증폭기 형태로 연결되어 있는 제4 및 제5 트랜지스터(M3, M4), 상기 제2 트랜지스터(M1)의 드레인 전극에 드레인 전극이 연결되어 있으며, 제2 전압(VDD)을 공급하는 제2 전원에 소스 전극이 연결되어 있는 제6 트랜지스터(M8), 상기 제6 트랜지스터(M8)와 커런트 미러(Current Mirror) 형태로 연결되어 있으며, 상기 제2 전원에 소스 전극이 연결되어 있는 제7 트랜지스터(M7), 그리고상기 제7 트랜지스터(M7)의 드레인 전극에 각각의 소스 전극이 연결되어 있으며, 차동 증폭기 형태로 연결되어 있는 제8 및 제9 트랜지스터(M5, M6)를 포함하며,상기 제3 트랜지스터(M2)의 게이트 전극과 상기 제5 및 제8 트랜지스터(M4, M5)의 게이트 전극이 연결되는 접점이 입력 단자에 연결되어 있는 전압 제어 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 제9 트랜지스터(M6)의 게이트 전극은 제1 기준전압 입력단자(REF1)에 연결되어 제1 기준 전압(BV1)이 인가되며, 상기 제2 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제2 기준전압 입력단자(REF2)에 연결되어 제2 기준 전압(BV2)이 인가되며,상기 제4 트랜지스터(M3)의 게이트 전극은 제3 기준전압 입력단자(REF3)에 연결되어 제3 기준 전압(BV3)이 인가되는 것을 특징으로 하는 전압 제어 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 입력 단자에 인가되는 입력 전압이 상기 제1 기준 전압(BV1)보다 작으면, 상기 제1 트랜지스터(M9), 상기 제2 트랜지스터(M1), 상기 제7 트랜지스터(M7) 및 상기 제8 트랜지스터(M5)를 턴온하여 형성된 제1 경로를 통해 출력 전류를 전달하는 전압 제어 장치
11 11
제9항에 있어서,상기 입력 단자에 인가되는 입력 전압이 상기 제1 기준 전압(BV1)과 상기 제2 기준 전압(BV2) 사이면, 상기 제1 트랜지스터(M9), 상기 제2 트랜지스터(M1), 상기 제7 트랜지스터(M7) 및 상기 제9 트랜지스터(M6)를 턴온하여 형성된 제2 경로를 통해 출력 전류를 전달하는 전압 제어 장치
12 12
제9항에 있어서,상기 입력 단자에 인가되는 입력 전압이 상기 제2 기준 전압(BV2)과 제3 기준 전압(BV3) 사이면,상기 제1 트랜지스터(M9), 상기 제3 트랜지스터(M2) 및 상기 제4 트랜지스터(M3)를 턴온하여 형성된 제3 경로를 통해 출력 전류를 전달하는 전압 제어 장치
13 13
제9항에 있어서,상기 입력 단자에 인가되는 입력 전압이 상기 제3 기준 전압(BV3)보다 크면, 상기 제1 트랜지스터(M9), 상기 제3 트랜지스터(M2) 및 상기 제5 트랜지스터(M4)를 턴온하여 형성된 제4 경로를 통해 출력 전류를 전달하는 전압 제어 장치
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
15 15
차동 증폭기 형태로 연결되어 있는 제1 및 제2 트랜지스터(M1, M2)와 제3 및 제4 트랜지스터(M3, M4)를 포함하는 NMOS 비교부, 상기 1 및 제2 트랜지스터(M1, M2) 각각의 소스 전극에 드레인 전극이 연결되어 있는 제5 트랜지스터(M9)를 포함하는 비교부 전류 공급부 및 상기 NMOS 비교부에 연결되어 있으며 차동 증폭기 형태로 연결되어 있는 제6 및 제7 트랜지스터(M5, M6)를 포함하는 PMOS 비교부를 포함하는 전압 제어 장치의 구동 방법에 있어서,입력 단자에 인가되는 입력 전압이 제1 기준 전압(BV1)보다 작으면, 상기 제5 트랜지스터(M9)를 통해 공급되는 전류를 상기 제1 트랜지스터(M1)를 통해 제6 트랜지스터(M5)로 전달하는 단계, 상기 입력 전압이 상기 제1 기준 전압(BV1)과 상기 제2 기준 전압(BV1) 사이면, 상기 제5 트랜지스터(M9)를 통해 공급되는 전류를 상기 제1 트랜지스터(M1)를 통해 제7 트랜지스터(M6)로 전달하는 단계, 상기 입력 전압이 상기 제2 기준 전압(BV2)과 제3 기준 전압(BV3) 사이면, 상기 제5 트랜지스터(M9)를 통해 공급되는 전류를 상기 제2 트랜지스터(M2)를 통해 제3 트랜지스터(M3)로 전달하는 단계, 그리고상기 입력 전압이 상기 제3 기준 전압(BV3)보다 크면, 상기 제5 트랜지스터(M9)를 통해 공급되는 전류를 상기 제2 트랜지스터(M2)를 통해 제4 트랜지스터(M4)로 전달하는 단계를 포함하는 전압 제어 장치의 구동 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 제1 기준 전압(BV1)은 문턱 전압보다 작은 값으로 설정되며, 상기 제2 기준 전압(BV2)은 상기 문턱 전압보다 큰 값으로 설정되며, 상기 제3 기준 전압(BV3)은 상기 제2 기준 전압(BV2)보다 큰 값으로 설정되는 전압 제어 장치의 구동 방법
17 17
청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.