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홀의 깊이, 홀 단면의 모양, 홀의 직경, 및 홀의 테이퍼 각도 중에서 하나가 다른 홀 구조를 가지고, 서로 다른 홀 밀도로 배치된 예비 전극 구조체를 이용하여 홀 밀도 및 홀 구조에 따른 플라즈마 특성 및 공정 결과 중에서 적어도 하나를 확인하여 소정의 홀 구조 및 홀 밀도를 선택하는 단계;선택된 홀 구조 및 홀 밀도에서 홀의 직경이 서로 다른 스플릿 영역들을 포함하는 복수의 동일한 구조의 단위 측정 전극 패턴들을 포함하는 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 단위 측정 전극 패턴 별로 상기 기판 전체에 최대의 균일성을 제공할 수 있는 최적 공정 위치를 선택하는 단계;상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 측정 전극 구조체의 홀의 직경을 전사하여 공정 전극 구조체를 제공하는 단계; 및상기 공정 전극 구조체를 이용하여 상기 기판의 위치에 따른 공정 불균일성을 보상하는 단계를 포함하고,상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴 상의 스플릿 영역 단위로 선택되거나, 상기 단위 측정 전극 패턴 상의 스플릿 영역 상의 일부 영역으로 선택되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 공정 전극 구조체는 적어도 하나 이상의 단위 공정 전극 패턴을 포함하되,상기 단위 공정 전극 패턴은 상기 단위 측정 전극 패턴 별로 선택된 위치의 홀에 대응하는 직경의 홀들을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제4 항에 있어서,상기 공정 전극 구조체는 물리적으로 서로 분리된 상기 단위 공정 전극 패턴들을 서로 조합하여 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제4 항에 있어서,상기 공정 전극 구조체는 모판 전극에 상기 단위 공정 전극 패턴들을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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홀의 직경이 다른 스플릿 영역들을 포함하는 복수의 동일한 구조의 단위 측정 전극 패턴들을 포함하는 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 단위 측정 전극 패턴 별로 상기 기판 전체에 최대의 균일성을 제공할 수 있는 최적 공정 위치를 선택하는 단계;상기 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치를 선택하는 단계;상기 최적 공정 위치에 대응하는 상기 측정 전극 구조체의 홀의 직경을 전사하여 공정 전극 구조체를 제공하는 단계; 및상기 공정 전극 구조체를 이용하여 상기 기판의 위치에 따른 공정 불균일성을 보상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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제 8 항에 있어서,상기 최적 공정 위치는 상기 단위 측정 전극 패턴 상의 스플릿 영역 단위로 선택되거나, 상기 단위 측정 전극 패턴 상의 스플릿 영역 상의 일부 영역으로 선택되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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처리 용기;일정한 홀 밀도에서 서로 다른 직경의 홀들을 포함하고 상기 처리 용기의 벽 또는 처리 용기의 내부에 배치된 공정 전극 구조체;상기 공정 전극 구조체에 전력을 인가하여 상기 공정 전극 구조체의 하부에 플라즈마를 발생시키는 전원; 및상기 공정 전극 구조체와 마주 보도록 배치되고 기판을 지지하는 기판 홀더를 포함하되,상기 공정 전극 구조체는 서로 다른 직경의 홀들을 이용하여 처리하고자 하는 상기 기판 전면에 균일한 공정을 제공하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제1 예비 전극; 및상기 제1 예비 전극의 일면 상에 배치된 제2 예비 전극을 포함하되,상기 제1 예비 전극은 동일한 구조를 가지나 영역 별로 다른 밀도의 홀들을 포함하고,상기 제1 예비 전극 및 상기 제2 예비 전극은 서로 전기적으로 연결되고, 상기 제2 예비 전극에 전력이 인가되어 상기 제1 예비 전극의 하부에 플라즈마를 발생시키고, 소정의 공정 조건에서 상기 제1 예비 전극의 홀의 밀도에 따라 다른 플라즈마 밀도를 생성하여, 최대의 플라즈마 밀도를 생성하는 홀의 밀도의 선택을 제공하는 것을 특징으로 하는 전극 구조체
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동일한 홀 밀도를 가지고 복수의 홀들을 포함하는 단위 측정 전극 패턴들을 포함하고,상기 단위 측정 전극 패턴은 상기 홀들의 직경이 서로 다른 스플릿 영역들을 포함하고,상기 스플릿 영역들은 상기 홀들의 직경에 따라 서로 다른 플라즈마 밀도를 발생시키어, 상기 단위 측정 전극 패턴의 상기 스플릿 영역에 따라 불균일한 공정을 제공하는 것을 특징으로 하는 전극 구조체
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제 12항에 있어서,상기 단위 측정 전극 패턴들은 분리 결합할 수 있는 것을 특징으로 하는 전극 구조체
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동일한 홀 밀도를 가지고 복수의 홀들을 포함하는 적어도 하나의 단위 공정 전극 패턴들을 포함하고,상기 단위 공정 전극 패턴들은 서로 다른 직경의 홀들을 가지고, 서로 다른 직경의 홀들을 이용하여 처리하고자 하는 기판 전면에 균일한 공정을 제공하는 것을 특징으로 하는 전극 구조체
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제 14항에 있어서,상기 단위 공정 전극 패턴들은 분리 결합할 수 있는 것을 특징으로 하는 전극 구조체
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