맞춤기술찾기

이전대상기술

반도체 장치의 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015118704
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 장치의 박막 형성 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 박막 형성 방법은, 챔버 내에 기판을 위치시키는 단계; 상기 챔버 내부로 제1 반응 물질을 공급하여 상기 기판 상에 상기 제1 반응 물질을 흡착시키는 단계; 제2 반응 물질을 이용하여 상기 흡착된 제1 반응 물질을 활성화시키는 단계; 및 상기 챔버 내부로 제3 반응 물질을 공급하여 상기 활성화된 제1 반응 물질과 상기 제3 반응 물질을 반응시키는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01)
출원번호/일자 1020110068442 (2011.07.11)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0007848 (2013.01.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.01)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이기홍 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 피승호 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 조병진 대한민국 대전광역시 유성구
4 박영민 대한민국 부산광역시 사하구
5 박종경 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0529792-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0316172-67
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0039150-41
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0700833-37
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0897344-86
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버 내에 기판을 위치시키는 단계;상기 챔버 내부로 제1 반응 물질을 공급하여 상기 기판 상에 상기 제1 반응 물질을 흡착시키는 단계;제2 반응 물질을 이용하여 상기 흡착된 제1 반응 물질을 활성화시키는 단계; 및상기 챔버 내부로 제3 반응 물질을 공급하여 상기 활성화된 제1 반응 물질과 상기 제3 반응 물질을 반응시키는 단계를 포함하는반도체 장치의 박막 형성 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 제2 반응 물질은, 수소 포함 플라즈마인 반도체 장치의 박막 형성 방법
3 3
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 제1 반응 물질은, Si을 포함하고,상기 제3 반응 물질은, N를 포함하고,상기 박막은, 실리콘 질화물인반도체 장치의 박막 형성 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 반응 물질을 흡착시키는 단계, 상기 흡착된 제1 반응 물질을 활성화시키는 단계, 및 상기 활성화된 제1 반응 물질과 상기 제3 반응 물질을 반응시키는 단계 각각의 후에,상기 챔버를 퍼지하는 단계를 더 포함하는반도체 장치의 박막 형성 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 챔버는, 400℃ 이하의 온도 상태에 있는반도체 장치의 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.