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하기 화학식 1의 비대칭적인 구조를 갖는 유기알콕시실란, 하기 화학식 2의 비대칭적인 구조를 갖는 불화알콕시실란 및 하기 화학식 4의 대칭적인 구조를 갖는 유기알콕시실란을 함유하는 실란 혼합물의 솔-젤 반응에 의해 제조된 불화 유기 올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물: [화학식 1][화학식 2][화학식 4]상기 화학식에서 R1은 (C1~C20)알킬, (C3~C8)사이클로알킬, (C3~C8)사이클로알킬로 치환된 (C1~C20)알킬, (C2~C20)알케닐, (C2~C20)알키닐 또는 (C6~C20)아릴이고;상기 R1은 아크릴기, 메타크릴기, 아릴기, 아미노기, 머캡토기, 에테르기, 에스테르기, 술폰기, 니트로기, 하이드록시기, 사이클로부텐기, 카르보닐기, 카르복실기, 알키드기, 우레탄기, 비닐기, 니트릴기, 에폭시기 및 지환식 에폭시기로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 작용기를 가질 수 있고;R3은 플루오로기가 포함된 (C1~C20)알킬, (C3~C8)사이클로알킬, (C3~C8)사이클로알킬로 치환된 (C1~C20)알킬, (C2~C20)알케닐, (C2~C20) 알키닐 또는 (C6~C20)아릴이며; R6은 (C1~C20)알킬, (C3~C8)사이클로알킬, (C3~C8)사이클로알킬로 치환된 (C1~C20)알킬, (C2~C20)알케닐, (C2~C20)알키닐 또는 (C6~C20)아릴이고;R2, R4 및 R7 은 직쇄 또는 분지쇄의 (C1~C7)알킬이다
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제 1항에 있어서,상기 실란 혼합물에 대해 불화알콕시 실란이 1 ~ 30 mol% 인 불화 유기 올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항에 있어서,상기 실란 혼합물에 대해 대칭적인 구조를 지니는 유기실란올 또는 유기 알콕시실란이 30 ~ 60mol%인 불화 유기 올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항에 있어서,상기 비대칭적인 유기알콕시실란은 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 프로필에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 아릴트리메톡시실란, 아릴트리에톡시실란, 비닐트리프로폭시실란, 페닐트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리프로폭시실란, (아크릴옥시메틸)페네틸트리메톡시실란, N-(아미노에틸)-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필 트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 클로로프로필트리메톡시실란, 클로로프로필트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란 및 페닐트리에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상인 불화 유기 올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항에 있어서,상기 비대칭적인 불화알콕시실란은 (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)-트리에톡시실란 또는 (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)-트리메톡시실란인 불화 유기 올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항에 있어서,상기 대칭적인 구조를 가지는 유기알콕시실란은 다이페닐다이메톡시실란, 다이페닐다이에톡시실란, 다이아이소부틸다이메톡시실란, 다이아이소부틸다이에톡시실란으로 구성된 그룹에서 선택되는 1종 이상인 불화 유기 올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항에 있어서,상기 솔-젤 반응은 산 촉매, 염기 촉매 또는 이온교환수지 촉매의 존재 하에서 실행하는 불화 유기 올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항에 있어서,상기 불화 유기올리고실록산에 열경화용 촉매 또는 광경화용 촉매를 첨가하는 불화 유기올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항에 있어서,상기 불화 유기올리고실록산에 경화제 및 가교제가 첨가된 불화 유기올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항에 있어서,상기 불화 유기올리고실록산에 열경화 가능한 작용기 또는 광경화 가능한 작용기를 갖는 모노머를 함유하는 불화 유기올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항에 있어서,상기 불화 유기올리고실록산에 용매를 함유하는 특징으로 하는 불화 유기올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항 내지 제 3항 및 제 7항 내지 제 14항에서 선택되는 어느 한 항의 조성물을 열경화 또는 광경화하고, 50 내지 200 ℃에서 열처리 단계를 거치는 것을 특징으로 하는 불화 유기올리고실록산을 포함하는 박막 트랜지스터의 보호막용 저유전율 실록산 보호막 조성물
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제 1항 내지 제 3항 및 제 7항 내지 제 14항에서 선택되는 어느 한 항의 저유전율 실록산 보호막 조성물을 사용하는 박막 트랜지스터
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제 15항의 저유전율 실록산 보호막 조성물을 사용하는 박막 트랜지스터
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