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액상의 실리콘 수지를 발화점 이상의 온도에서 100초 미만으로 가열하여 연소시키는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 수지는 선형의 폴리디메틸실록산을 포함한 주쇄 및 트리메틸실릴기를 포함한 말단을 포함하는, 초소수성 나노 입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 발화점 이상의 온도는 상기 실리콘 수지의 발화점보다 10℃ 내지 500℃ 높은, 초소수성 나노 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 수지의 중량평균분자량이 200 내지 500,000인, 초소수성 나노 입자의 제조방법
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청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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모재의 표면에 액상의 실리콘 수지를 분사하여 실리콘 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 수지층을 발화점 이상의 온도에서 100초 미만으로 가열하여 연소시키는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 수지는 선형의 폴리디메틸실록산을 포함한 주쇄 및 트리메틸실릴기를 포함한 말단을 포함하는, 투명 초소수성 표면 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 실리콘 수지층의 두께는 0
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10
제7항에 있어서, 상기 분사는 입경이 1 ㎛ 내지 1,000 ㎛인 액적 분사를 포함하는, 투명 초소수성 표면 제조방법
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11
제7항에 있어서, 상기 실리콘 수지의 분사량이 0
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12
제7항에 있어서, 상기 발화점 이상의 온도는 상기 실리콘 수지층의 발화점보다 10℃ 내지 500℃ 높은, 투명 초소수성 표면 제조방법
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13
제7항에 있어서,상기 실리콘 수지층은 중량평균분자량이 200 내지 500,000인 실리콘 수지를 포함하는, 투명 초소수성 표면 제조방법
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14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제7항에 있어서,상기 실리콘 수지층은 용매를 0
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제7항에 의해 제조된 투명 초소수성 표면을 발화점 이상의 온도에서 1시간 내지 5시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는, 투명 초친수성 표면 제조방법
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