| 1 |
1
제1 기판 상에 표면에너지 조절층을 형성하는 단계;상기 표면에너지 조절층 상에 금속전극층을 형성하는 단계;상기 금속전극층에 패턴을 형성하는 단계;제2 기판 상에 배리어층을 형성하는 단계;상기 배리어층 상에 접착층을 형성하는 단계;상기 제1 기판의 상기 금속전극층과 상기 제2 기판의 상기 접착층을 서로 맞대어 압착한 상태에서 가열하고 냉각시킨 후 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 분리하는 것에 의하여, 상기 접착층 안쪽으로 상기 금속전극층이 자리잡아 상기 금속전극층과 상기 접착층의 표면이 일치하도록 상기 제2 기판의 접착층에 상기 제1 기판의 금속전극층을 전사하는 단계; 제3 기판 상에 유기물층을 형성하는 단계; 및상기 제2 기판의 접착층 및 금속전극층을 상기 제3 기판의 상기 유기물층 상에 맞대어 압착한 상태에서 가열하는 단계;를 포함하는 유기전자소자 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 기판은, 유리로 형성되거나, 또는 PVC(polyvinyl chloride), PET (polyethylene terephthalate), PES(polyester), PEN(polyethylene naphthalate) 중 어느 하나를 포함하는 플라스틱으로 형성되는, 유기전자소자 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 표면에너지 조절층은 SAM(self assembled monolayer) 공정에 의하여 OTS(octadecyl trichlorosilane), FOTS(perflurooctyl trichlorosilane), FDTS (perflurodecyl trichlorosilane), PVDF(polyvinylidene fluoride), PTFE (polyvinylidene fluoride), FEP(fluorinated ethylene propylene), 또는 테플론 중 어느 하나로 형성되는,유기전자소자 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 금속전극층은, 리튬(Li), 나트륨(Na), 세슘(Cs), 칼륨(K), 바륨(Ba), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 또는 백금(Pt) 중 적어도 하나가 포함된 금속용액을 이용하여 용액공정에 의해 형성되거나, 또는 용액화가 불가능한 금속의 경우에는 금속전극을 증착하는 것에 의해 형성되는, 유기전자소자 제조방법
|
| 5 |
5
제1항 에 있어서,상기 제2 기판은, 유리로 형성되거나, 또는 PVC(polyvinyl chloride), PET (polyethylene terephthalate), PES(polyester), PEN(polyethylene naphthalate) 중 어느 하나를 포함하는 플라스틱으로 형성되는,유기전자소자 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 배리어층은, 수분과 산소로부터 금속전극층을 보호하는 배리어 필름으로 형성되고, 상기 배리어 필름은 금속층, 금속산화물층, 고분자층을 포함하며 이들을 여러 층으로 구성하는 다층구조인,유기전자소자 제조방법
|
| 7 |
7
제1항 에 있어서,상기 접착층은, 접착성 테이프, PDMS(poly dimethyl siloxane), 폴리에스터 (polyester), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드 (polyamide), 에틸비닐 아세테이트(ethyl vinyl acetate), 나일론 또는 왁스 중 어느 하나로 형성되는,유기전자소자 제조방법
|
