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전하선택적 계면전송층 및 이를 이용한 유기전자 소자

  • 기술번호 : KST2017004285
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 전하 전송 효율 및 선택성을 가지는 전하선택적 계면전송층 및 이를 이용한 유기전자장치에 관한 것으로서, 자세하게는 i) 무기 반도체 물질(inorganic semiconducting material)과 ii) 상기 무기 반도체 물질과의 접촉 계면에 자발분극(spontaneous dipolar polarization)을 통한 다이폴(dipole)을 유도할 수 있는 물질로 구성된 전하선택적 계면전송층을 이용하여 유기 발광다이오드(OLED), 유기 솔라셀 (organic solar cells), 유기 트랜지스터 (organic TFTs), 유기 메모리, 유기 센서 등 유기 반도체를 이용한 다양한 유기전자 소자에 적용하는 기술에 대한 것이다.
Int. CL H01L 51/10 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)
CPC H01L 51/4273(2013.01) H01L 51/4273(2013.01) H01L 51/4273(2013.01) H01L 51/4273(2013.01) H01L 51/4273(2013.01)
출원번호/일자 1020100091051 (2010.09.16)
출원인 울산과학기술원 산학협력단, 한국과학기술원, 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1220442-0000 (2013.01.03)
공개번호/일자 10-2012-0029142 (2012.03.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.16)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
3 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송명훈 대한민국 울산광역시 울주군
2 김상욱 대한민국 대전광역시 유성구
3 우한영 대한민국 경상남도 양산시
4 김진영 대한민국 울산광역시 울주군
5 박지선 대한민국 대전광역시 유성구
6 이보람 대한민국 울산광역시 울주군
7 정은재 대한민국 경상남도 진주시 남강
8 최효성 대한민국 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
2 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
3 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0603683-12
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0088251-14
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0695079-34
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2011-5023649-42
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2011-5036213-54
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0062415-02
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0167107-56
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0406492-57
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0406493-03
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0623694-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
20 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0435711-80
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i) 무기 반도체 물질(inorganic semiconducting material)과 ii) 상기 무기 반도체 물질과의 접촉 계면에 자발분극(spontaneous dipolar polarization)을 통한 다이폴(dipole)을 유도할 수 있는 물질로 구성된 전하선택적 계면전송층으로서,상기 접촉 계면에 자발분극을 통한 다이폴을 유도할 수 있는 물질은 공액 고분자 전해질(conjugated polymer electrolytes), 이온성 액체(inoic liquids) 또는 LiF 이고, 상기 공액 고분자 전해질이 곁가지에 양이온 (혹은 음이온) 그룹과 전하균형을 위해 음이온 (혹은 양이온) 반대이온을 가지는 것으로서 상기 공액 고분자 전해질의 곁가지 수를 제어하여 이온그룹 밀도를 조절함으로써 전하의 계면 전송이 향상 또는 억제되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 전하선택적 계면전송층
2 2
제1항에 있어서, 상기 무기 반도체 물질이 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 전하선택적 계면전송층
3 3
제2항에 있어서, 상기 금속 산화물이 ZnO, TiO2, ZrO2, Ta2O3, MgO, HfO2 또는 Al, Ga이 도핑된 ZnO인 것을 특징으로 하는 전하선택적 계면전송층
4 4
제1항에 있어서, 상기 다이폴의 방향 및 농도를 제어하여 전하의 계면 전송이 향상 또는 억제되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 전하선택적 계면전송층
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 다이폴을 형성하는 카운터 이온(counterion)은 금속 산화물층 방향으로, 폴리머 골격은 반대 방향으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 전하선택적 계면전송층
9 9
제1항에 있어서, 상기 공액 고분자 전해질이 FPQ-Br(cationic poly(9,9'-bis(6''-N,N,N-trimethylammoniumhexyl)fluorene-co-alt-phenylene) with bromide counterions), anionic poly-(9,9’-bis(3’’-propanoate)fluorene-co-alt-phenylene) with sodium salt counterions, cationic poly(9,9'-bis(2-(2-(2- (N,N,N-trimethylammonium) ethoxy)ethoxy)ethyl)fluorene-co-alt-phenylene) with bromide counterions, cationic poly(9,9′'-bis(6-N,N,N-trimethylammoniumhexyl) fluorene) with bromide counterions, Poly(9,9′′-bis(6-N,N,N-trimethyl ammoniumhexyl)fluorene-co-alt-2, 2´´-bithiophene) with bromide counterions, cationic poly(9,9′-bis(6-N,N,N-trimethylammoniumhexyl)fluorene- co-alt-1,4-(2,5-bis(6-N,N,N-trimethylammoniumhexyloxy))phenylene) with bromide counterions 인 것을 특징으로 하는 전하선택적 계면전송층
10 10
제1항에 있어서, 유기전자 소자(organic electronic device)에 적용되어 전하를 선택적으로 전달하는 것을 특징으로 하는 전하선택적 계면전송층
11 11
전자 전송층, 발광층, 정공 전송층으로 구성된 유기발광다이오드(OLED)의 유기층 구조에 있어서, 상기 전자 전송층이 i) 무기 반도체 물질(inorganic semiconducting material)과 ii) 상기 무기 반도체 물질과 발광층과의 접촉 계면에 자발분극(spontaneous dipolar polarization)을 통한 다이폴(dipole)을 유도할 수 있는 물질로 구성된 하이브리드 이중층을 포함하는 유기발광다이오드로서,상기 접촉 계면에 자발분극을 통한 다이폴을 유도할 수 있는 물질은 공액 고분자 전해질(conjugated polymer electrolytes), 이온성 액체(inoic liquids) 또는 LiF 이고, 상기 공액 고분자 전해질이 곁가지에 양이온 (혹은 음이온) 그룹과 전하균형을 위해 음이온 (혹은 양이온) 반대이온을 가지는 것으로서 상기 공액 고분자 전해질의 곁가지 수를 제어하여 이온그룹 밀도를 조절함으로써 전하의 계면 전송이 향상 또는 억제되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
12 12
제11항에 있어서, 상기 무기 반도체 물질이 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
13 13
제12항에 있어서, 상기 금속 산화물이 ZnO, TiO2, ZrO2, Ta2O3, MgO, HfO2 또는 Al, Ga이 도핑된 ZnO인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
14 14
제11항에 있어서, 상기 다이폴의 방향 및 농도를 제어하여 전하의 계면 전송이 향상 또는 억제되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제11항에 있어서, 상기 다이폴을 형성하는 카운터 이온(counterion)은 금속 산화물층 방향으로, 폴리머 골격은 발광층 방향으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
19 19
제11항에 있어서, 상기 공액 고분자 전해질이 FPQ-Br(cationic poly(9,9'-bis(6''-N,N,N-trimethylammoniumhexyl)fluorene-co-alt-phenylene) with bromide counterions), anionic poly-(9,9’-bis(3’’-propanoate)fluorene-co-alt-phenylene) with sodium salt counterions, cationic poly(9,9'-bis(2-(2-(2- (N,N,N-trimethylammonium) ethoxy)ethoxy)ethyl)fluorene-co-alt-phenylene) with bromide counterions, cationic poly(9,9′'-bis(6-N,N,N-trimethylammoniumhexyl) fluorene) with bromide counterions, Poly(9,9′′-bis(6-N,N,N-trimethyl ammoniumhexyl)fluorene-co-alt-2, 2´´-bithiophene) with bromide counterions, cationic poly(9,9′-bis(6-N,N,N-trimethylammoniumhexyl)fluorene- co-alt-1,4-(2,5-bis(6-N,N,N-trimethylammoniumhexyloxy))phenylene) with bromide counterions 인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
20 20
제11항에 있어서, 상기 자발 분극이 어닐링(annealing) 과정을 통해서 안정화되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
21 21
제11항에 있어서, 상기 발광층이 형광성 유기물질, 인광성 유기물질, 형광성 고분자물질, 인광성 고분자 물질 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
22 22
삭제
23 23
전자 전송층, 광활성층, 정공 전송층으로 구성된 고분자 태양전지의 유기층 구조에 있어서, 상기 전자 전송층이 i) 무기 반도체 물질(inorganic semiconducting material)과 ii) 상기 무기 반도체 물질과 광활성층과의 접촉 계면에 자발분극(spontaneous dipolar polarization)을 통한 다이폴(dipole)을 유도할 수 있는 물질로 구성된 하이브리드 이중층을 포함하는 고분자 태양전지로서,상기 접촉 계면에 자발분극을 통한 다이폴을 유도할 수 있는 물질은 공액 고분자 전해질(conjugated polymer electrolytes), 이온성 액체(inoic liquids) 또는 LiF 이고, 상기 공액 고분자 전해질이 곁가지에 양이온 (혹은 음이온) 그룹과 전하균형을 위해 음이온 (혹은 양이온) 반대이온을 가지는 것으로서 상기 공액 고분자 전해질의 곁가지 수를 제어하여 이온그룹 밀도를 조절함으로써 전하의 계면 전송이 향상 또는 억제되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
24 24
제23항에 있어서, 상기 무기 반도체 물질이 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
25 25
제24항에 있어서, 상기 금속 산화물이 ZnO, TiO2, ZrO2, Ta2O3, MgO, HfO2 또는 Al, Ga이 도핑된 ZnO인 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
26 26
제23항에 있어서, 상기 다이폴의 방향 및 농도를 제어하여 전하의 계면 전송이 향상 또는 억제되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
27 27
삭제
28 28
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29 29
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30 30
제23항에 있어서, 상기 다이폴을 형성하는 카운터 이온(counterion)은 금속 산화물층 방향으로, 폴리머 골격은 광활성층 방향으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
31 31
제23항에 있어서, 상기 공액 고분자 전해질이 FPQ-Br(cationic poly(9,9'-bis(6''-N,N,N-trimethylammoniumhexyl)fluorene-co-alt-phenylene) with bromide counterions), anionic poly-(9,9’-bis(3’’-propanoate)fluorene-co-alt-phenylene) with sodium salt counterions, cationic poly(9,9'-bis(2-(2-(2- (N,N,N-trimethylammonium) ethoxy)ethoxy)ethyl)fluorene-co-alt-phenylene) with bromide counterions, cationic poly(9,9′'-bis(6-N,N,N-trimethylammoniumhexyl) fluorene) with bromide counterions, Poly(9,9′′-bis(6-N,N,N-trimethyl ammoniumhexyl)fluorene-co-alt-2, 2´´-bithiophene) with bromide counterions, cationic poly(9,9′-bis(6-N,N,N-trimethylammoniumhexyl)fluorene- co-alt-1,4-(2,5-bis(6-N,N,N-trimethylammoniumhexyloxy))phenylene) with bromide counterions 인 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
32 32
제23항에 있어서, 상기 자발 분극이 어닐링(annealing) 과정을 통해서 안정화되는 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
33 33
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1 WO2012036337 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2012036337 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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