| 1 |
1
도체 기판의 일면에 보호막 패턴을 형성하는 보호막 패턴 형성단계;
양극 산화 공정을 이용하여 상기 기판의 보호막 패턴이 형성되지 않은 부분에 산화층을 형성하는 산화층 형성단계;
상기 보호막 패턴을 제거하는 보호막 제거단계;
상기 기판의 타면에 상기 보호막 패턴 형성단계 내지 보호막 제거단계를 반복 수행하는 타면 가공단계; 및
상기 산화층 부분 또는 상기 산화층의 일부분 또는 상기 기판의 일부분 중 하나를 부식액으로 제거하는 식각단계를 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,
상기 기판의 일면 또는 타면 또는 양면에 상기 보호막 패턴의 형태를 변경해가며 상기 보호막 패턴 형성단계 내지 보호막 제거단계를 순차적으로 1회 이상 반복 수행하여 깊이가 다른 다수의 산화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,
상기 산화층 형성단계 후 상기 기판의 표면을 평탄화하는 평탄화 단계를 더 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,
상기 보호막 패턴 형성단계 내지 상기 식각단계 중 어느 하나의 단계 전후에 전기도금 공정을 이용하여 상기 기판상에 도금 구조물을 형성하는 전기도금단계를 더 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,
상기 식각단계 전에 기판의 일면 또는 타면 또는 양면에 보호막 패턴을 형성하는 보호막 패턴 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조물 제조방법
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,
상기 식각단계 후 상기 기판의 일부를 양극 산화시켜 부분적으로 절연시키는 절연단계를 더 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,
상기 보호막은 절연체인 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서,
상기 보호막은 상기 기판보다 전기음성도가 상대적으로 높은 도체인 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서,
상기 보호막은 상기 기판의 표면이 양극 산화 공정 처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 10 |
10
도체 기판의 일면에 보호막 패턴을 형성하는 보호막 패턴 형성단계;
양극 산화 공정을 이용하여 상기 기판의 보호막 패턴이 형성되지 않은 부분에 산화층을 형성하는 산화층 형성단계;
상기 보호막 패턴을 제거하는 보호막 제거단계;
상기 산화층 또는 상기 산화층의 일부분 또는 상기 기판의 일부분 중 하나를 부식액으로 제거하는 식각단계; 및
상기 기판의 타면에 상기 보호막 패턴 형성단계 내지 식각단계를 반복 수행하는 타면 가공단계를 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 11 |
11
청구항 10에 있어서,
상기 기판의 일면 또는 타면 또는 양면에 상기 보호막 패턴의 형태를 변경해가며 상기 보호막 패턴 형성단계 내지 보호막 제거단계를 순차적으로 1회 이상 반복 수행하여 깊이가 다른 다수의 산화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 12 |
12
청구항 10에 있어서,
상기 산화층 형성단계 후 상기 기판의 표면을 평탄화하는 평탄화 단계를 더 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 10에 있어서,
상기 보호막 패턴 형성단계 내지 상기 타면 가공단계 중 어느 하나의 단계 전후에 전기도금 공정을 이용하여 상기 기판상에 도금 구조물을 형성하는 전기도금단계를 더 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 14 |
14
청구항 10에 있어서,
상기 식각단계 전에 기판의 일면 또는 타면 또는 양면에 보호막 패턴을 형성하는 보호막 패턴 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조물 제조방법
|
| 15 |
15
청구항 10에 있어서,
상기 식각단계 후 상기 기판의 일부를 양극 산화시켜 부분적으로 절연시키는 절연단계를 더 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 16 |
16
청구항 10에 있어서,
상기 보호막은 절연체인 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 17 |
17
청구항 10에 있어서,
상기 보호막은 상기 기판보다 전기음성도가 상대적으로 높은 도체인 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 18 |
18
청구항 10에 있어서,
상기 보호막은 상기 기판의 표면이 양극 산화 공정 처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 19 |
19
도체 기판의 일면 및 타면에 보호막 패턴을 형성하는 보호막 패턴 형성단계;
양극 산화 공정을 이용하여 상기 기판의 양면의 보호막 패턴이 형성되지 않은 부분에 동시에 산화층을 형성하는 산화층 형성단계;
상기 기판의 양면에 형성된 보호막 패턴을 제거하는 보호막 제거단계; 및
상기 산화층 또는 상기 산화층의 일부분 또는 상기 기판의 일부분 중 하나를 부식액으로 제거하는 식각단계를 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 20 |
20
청구항 19에 있어서,
상기 기판의 일면 또는 타면 또는 양면에 상기 보호막 패턴의 형태를 변경해가며 상기 보호막 패턴 형성단계 내지 보호막 제거단계를 순차적으로 1회 이상 반복 수행하여 깊이가 다른 다수의 산화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 21 |
21
청구항 19에 있어서,
상기 산화층 형성단계 후 상기 기판의 표면을 평탄화하는 평탄화 단계를 더 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 22 |
22
청구항 19에 있어서,
상기 보호막 패턴 형성단계 내지 상기 식각단계 중 어느 하나의 단계 전후에 전기도금 공정을 이용하여 상기 기판상에 도금 구조물을 형성하는 전기도금단계를 더 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 23 |
23
청구항 19에 있어서,
상기 식각단계 전에 기판의 일면 또는 타면 또는 양면에 보호막 패턴을 형성하는 보호막 패턴 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조물 제조방법
|
| 24 |
24
청구항 19에 있어서,
상기 식각단계 후 상기 기판의 일부를 양극 산화시켜 부분적으로 절연시키는 절연단계를 더 포함하여 이루어지는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 25 |
25
청구항 19에 있어서,
상기 보호막은 절연체인 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 26 |
26
청구항 19에 있어서,
상기 보호막은 상기 기판보다 전기음성도가 상대적으로 높은 도체인 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
| 27 |
27
청구항 19에 있어서,
상기 보호막은 상기 기판의 표면이 양극 산화 공정 처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 선택적 양극 산화를 이용한 3차원 구조물 제조방법
|
