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표면실장형 PTC 칩 서미스터

  • 기술번호 : KST2015114679
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 BaTiO3와 Y2O3를 기본 조성으로 하고, 부성분으로서 SrTiO3, CaTiO3,MnO2 PbO, SiO2를 함유하는 표면실장형 PTC 칩 서미스터 제조용 BaTiO3계 세라믹 조성물, 이 조성물을 1310∼1390℃의 최적 소결온도에서 소결시켜 제조한, 큐리 온도가 넓은 영역에서 정확히 제어되고 표면실장에 이용가능한 낮은 상온 저항과 내전압 특성 및 PTC 효과를 갖는 표면 실장형 PTC 서미스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 BaTiO3계 PTC 칩 서미스터는 종래의 BaTIO3계 PTC 서미스터 보다 정화한 큐리온도의 제어와 표면실장에 이용가능한 낮은 상온 저항 및 PTC 효과가 실현되었으며, 상온저항이 작아 저전압으로 구동이 가능하고, 구동전압이 낮아지므로서 SMD에 활용가능성이 대폭 확대되었으며, SrTiO3함량을 변화시킴으로서 큐리온도(Tc)를 정확히 제어할 수 있고, Tc의 정확한 제어가능성으로 온도가 변화하는 여러 분야의 SMD에 이용가능하며, 넓은 범위의 Tc를 갖고 있으므로 스위칭 소자에 활용가능성이 증대되었다.
Int. CL H01C 7/02 (2006.01.01) H01C 17/00 (2006.01.01) C04B 35/468 (2006.01.01)
CPC H01C 7/025(2013.01) H01C 7/025(2013.01) H01C 7/025(2013.01)
출원번호/일자 1019960007104 (1996.03.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0190907-0000 (1999.01.21)
공개번호/일자 10-1997-0067394 (1997.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (19990601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.03.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호기 대한민국 서울특별시 강남구
2 최원열 대한민국 대전광역시 유성구
3 김진균 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.03.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0032681-07
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.03.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0032680-51
3 특허출원서
Patent Application		 1996.03.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0032679-15
4 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0429926-81
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.06 수리 (Accepted) 4-1-1999-0030399-30
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하기 일반식으로 표시되는 표면실장형 PTC 칩 서미스터 제조용 BaTiO3계 세라믹 조성물

2 2

BaTiO3, SrTiO3, CaTiO3, Y2O3, MnO2, PbO 및 SiO2 분말을 하기 일반식을 만족하는 양으로 평량하여 혼합하는 공정;

Ba1-(a+b+c)SraCao

3 3

하기 일반식으로 표시되는 BaTiO3계 PTC 서미스터 조성물을 성형하고, 1310∼1390℃에서 소결한 다음, 900℃까지 1단계로 냉각시킴으로써 제조되는 표면실장형 PTC 칩 서미스터

4 4

제3항에 있어서,

상온 저항이 3

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.