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전계 가변형 BST-Pb계 파이로클로어 복합 유전체 박막과 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014046736
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Pb를 기반으로 한 파이로클로어 구조의 유전체를 포함한 Ba1-xSrxTiO3 전계 가변형 복합 유전체 박막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 Ba-Sr-Ti-O의 강유전체와 Pb-X-Nb-O (여기서 X는 Zn, Ni, Cu 및 Mg으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나의 원소임)계 파이로클로어 구조의 복합 유전체 박막으로서, 1000kV/cm의 전계 인가시 전계 무인가시의 상기 박막의 유전율에 대한 전계 인가시의 상기 박막의 유전율의 변화의 백분율로 정의되는 전계 가변율이 약 20 내지 70%인 것을 특징으로 하는 유전체 박막을 제공한다. 본 발명에 따르면, 높은 유전율 및 낮은 유전 손실 특성과 높은 전계 가변율을 가지며, 위상 변환기, 평판 안테나, 필터 등의 전계 가변형 캐패시터로서 사용되기에 적합한 전계 가변형 유전체 박막을 제공할 수 있다. 복합 유전체 박막, BST, 파이로클로어상, Pb계 유전체, 전계 가변형 커패시터, 유전율
Int. CL C04B 35/468 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01)
CPC H01B 3/12(2013.01)H01B 3/12(2013.01)H01B 3/12(2013.01)H01B 3/12(2013.01)H01B 3/12(2013.01)H01B 3/12(2013.01)H01B 3/12(2013.01)
출원번호/일자 1020070108948 (2007.10.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1013762-0000 (2011.02.01)
공개번호/일자 10-2007-0110237 (2007.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20110214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070098023   |   2007.09.28
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고경현 대한민국 서울 서초구
2 이혁준 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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최종권리자

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1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0774779-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2007-5193163-24
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.09.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0060723-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0556444-13
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0897044-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0059596-63
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0059595-17
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0220162-42
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.07.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0037324-42
11 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0510389-21
12 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2009.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0368333-89
13 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2009.10.05 수리 (Accepted) 7-8-2009-0032676-44
14 등록결정서
Decision to grant
2010.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0498960-70
15 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0009510-94
16 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2011.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0018568-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복합 유전체 박막으로서, Pb-X-Nb-O (여기서 X는 Zn, Ni, Cu 및 Mg으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나의 원소임)계 파이로클로어 상을 포함한 Ba-Sr-Ti-O의 유전체 박막으로, 아래의 수학식에 의해 정의되는 전계 가변율이 20 ∼ 75% 범위이며, [수학식] Co : 무전계시의 정전 용량, Cv : 1000 kV/cm 전계 인가시의 정전 용량 상기 유전체 박막은, Pb6Zn1Nb6O22 또는 Pb6Mg1Nb6O22로 표현되는 파이로클로어 상을 포함한 Ba1-xSrxTiO3의 박막인 것을 특징으로 하는 복합 유전체 박막
2 2
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3 3
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4 4
제1항에 있어서, 상기 유전체 박막의 유전 손실 tan δ은, 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 유전체 박막의 두께는, 3000Å 미만인 것을 특징으로 하는 복합 유전체 박막
6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
Pb-X-Nb-O (여기서 X는 Zn, Ni, Cu 및 Mg으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 하나 이상을 포함)로 표현되는 소결체 타겟과 Ba-Sr-Ti-O 로 표현되는 소결체 타겟을 제공하는 단계; 기판을 가열하는 단계; 및 상기 두 소결체 타겟 물질을 동시 스퍼터링하여 상기 기판에 Pb-X-Nb-O와 Ba-Sr-Ti-O 복합 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 복합 박막은, 조성식 Pb6X1Nb6O22로 표현되는 파이로클로어 상을 포함한 Ba1-xSrxTiO3 강유전체인 것을 특징으로 하는 복합 유전체 박막 형성 방법
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18 18
제16항에 있어서, 상기 기판 가열 단계에서 기판 온도는, 350 ∼ 600℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 복합 유전체 박막 형성 방법
19 19
제 16 항에 있어서, 상기 복합 유전체 박막을 동시 스퍼터링하는 단계에서, 스퍼터링 가스로는 아르곤 가스를 사용하며, 반응가스로는 산소가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 복합 유전체 박막 형성 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 아르곤 가스에 대한 산소 가스의 혼합 비율은 10%로 유지되는 것을 특징으로하는 복합 유전체 박막 형성 방법
21 21
제16항에 있어서, 상기 복합 유전체 박막을 동시 스퍼터링하는 단계에서, 증착 압력은 10 mTorr로 유지되는 것을 특징으로 하는 복합 유전체 박막 형성 방법
22 22
제16항에 있어서, 상기 복합 유전체 박막 형성 단계 이후, 500 ∼ 800℃ 온도범위에서 후열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 유전체 박막 형성 방법
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1 KR1020070108487 KR 대한민국 FAMILY

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1 KR20070108487 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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