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은 나노 와이어를 이용한 투명전극 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015115052
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 접촉부위가 서로 용접되어 이루어진 은 나노와이어들의 네트워크와 이를 이용한 투명전극에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 접촉저항 특성이 최소화된 은 나노와이어 네트워크 형상의 투명 전극 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면, 높은 횡경비를 가지는 고품질의 은 나노와이어들이 광소결 공정에 의하여, 와이어들 간의 접촉 점들이 용융되어 전기전도 특성이 크게 개선된 투명전극을 형성할 수 있다. 또한 적은 양의 은 나노와이어를 이용하여 대면적 또는 연속 공정이 가능한 정전 스프레이 방식으로 은 나노와이어 네트워크를 형성 할 수 있어 높은 품질(투과도 80 % 이상, 저항 20 Ω/□ 이하)의 투명전극 형성이 가능하다. 또한 광소결(Intense Pulsed Light sintering) 공정을 이용하여 형성된 은 나노와이어 네트워크 전극의 높은 접촉 저항을 현저히 줄임으로서 junctionless contact의 구현이 가능하고 40 % 이상 향상된 전도도를 가진 투명전극 제조가 손쉽게 가능하다. 또, 특정 조건을 이용하여 광소결을 진행하면 은 나노와이어들 간의 접촉 부분을 서로 용접하여 기판 상에 반구 또는 타원형 형태의 단면을 가지는 와이어로 존재하게 된다. 이를 통해 기존 은 나노와이어 네트워크 전극의 Haze(탁도)문제를 해결할 수 있다.
Int. CL H01B 1/02 (2006.01) H01J 17/04 (2006.01) G02F 1/1343 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01)
출원번호/일자 1020110012252 (2011.02.11)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0092294 (2012.08.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.14)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울특별시 동작구
2 진미진 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0098651-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0042897-45
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0042857-29
8 보정요구서
Request for Amendment
2016.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0011268-14
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2016.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0072397-76
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0057837-16
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0459408-93
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0791082-54
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0951185-67
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1064072-79
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1064073-14
17 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0770201-12
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0000216-80
19 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0122693-62
20 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0211846-16
21 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0329161-38
22 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2018.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0052683-23
23 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.03 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2018-0438627-36
24 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0438628-82
25 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0346053-06
26 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0346052-50
27 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.06.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0602352-34
28 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0602351-99
29 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0432995-29
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
31 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
32 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
은 나노와이어가 서로 용접되어 있는 부분이 적어도 하나 이상 포함된, 은 나노와이어 네트워크 구조를 포함하는 투명 전극으로,상기 은 나노와이어는 횡경비 20 ~ 10000의 범위 및 격자상수 d110=0
2 2
제1항에 있어서, 은 나노와이어 하나에는 적어도 1개 이상의 다른 은 나노와이어간의 접촉점 또는 교차점 또는 접촉점과 교차점을 동시에 가지는, 은 나노와이어 네트워크 구조를 포함하는 투명 전극
3 3
제1항에 있어서, 은 나노와이어는 직경 10 ~ 100 ㎚ , 길이 3 ~ 100 ㎛의 범위를 가지는, 은 나노와이어 네트워크를 포함하는 투명 전극
4 4
제1항에 있어서, 상기 은 나노와이어가 서로 용접되어 있는 부분이 적어도 하나 이상 포함된 투명전극은 면저항 1~50Ω/□의 범위를 갖는, 은 나노와이어 네트워크 구조를 포함하는 투명 전극
5 5
제1항 및 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 나노와이어의 단면은 오각형 또는 타원형 또는 반원형 형상 중 적어도 하나 이상의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어 네트워크 구조를 포함하는 투명 전극
6 6
(a) 은 나노와이어 분산용액의 제조 단계; (b) 상기 은 나노와이어 분산용액을 기판 위에 코팅하는 단계; 및 (c) 상기 기판위에 코팅된 은 나노와이어를 20~30 J/cm2에서 1 내지 수초 동안 3회 내지 6회 반복해서 광소결을 실시하여 은 나노와이어들 간의 접촉 부위가 서로 용접되도록 하는 단계를 포함하는 은 나노와이어 네트워크 구조를 포함하는 투명 전극의 제조방법으로, 상기 은 나노와이어는 횡경비 20 ~ 10000의 범위 및 격자상수 d110=0
7 7
제6항에 있어서, 상기 은 나노와이어는 직경 10 ~ 100 ㎚ , 길이 3 ~ 100 ㎛의 범위를 가지는, 은 나노와이어 네트워크 구조를 포함하는 투명 전극의 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 은 나노와이어는 AgCl, AgNO3, PVP, 에틸렌글리콜(EG)를 이용한 폴리올 환원 공정을 통하여 얻어지는, 은 나노와이어 네트워크 구조를 포함하는 투명 전극의 제조방법
9 9
제 6항에 있어서, 은 나노와이어 분산 용액은 0
10 10
제 6항에 있어서, 상기 코팅은 정전 스프레이 방식으로 수행되며, 이때 정전 스프레이는 8 - 30 kV의 인가전압과 10~30㎕/min의 용액 분사 속도, 30GA 이하의 노즐 사이즈를 이용하여 은 나노와이어 분산 용액을 상기 기판 위에 코팅하는 방식으로 수행되는, 은 나노와이어 네트워크 구조를 포함하는 투명 전극의 제조방법
11 11
제6항에 있어서, 상기 광소결은 제논 램프를 이용하여 은 나노와이어를 국부적으로 녹여 은 나노와이어의 접촉 저항을 낮추는 공정인, 은 나노와이어 네트워크 구조를 포함하는 투명 전극의 제조방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제6항에 있어서, 상기 광소결에 의하여 은 나노와이어 간 접촉점 중 적어도 한 점 이상의 접촉점이 용융되어 은 나노와이어가 연결되는, 은 나노와이어 네트워크 구조를 포함하는 투명 전극의 제조방법
15 15
제6항 내지 제11항 및 제14항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 투명 전극
16 16
제15항에 있어서, 상기 투명전극은 면저항 1~50Ω/□의 범위를 갖는 투명전극
17 17
제 15항의 투명전극을 포함하는 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.