맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저유전 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015115146
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저유전 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 알릴기가 함유된 실란 화합물 및 기공형성 물질을 플라즈마 화학증착시켜 제조되는 저유전 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저유전 박막의 제조방법은 선형 또는 비선형 형태의 유·무기 전구체를 이용하여 종래에 비해 유전상수가 월등히 낮은 동시에 열적으로 안정한 저유전 박막을 제조할 수 있고, 스핀 캐스팅법에서 발생되는 전·후 처리에 대한 복잡한 공정을 줄일 수 있으며, 열처리와 같은 과정을 통하여 박막의 유전상수 및 기계적 특성을 개선시켜 반도체 장치 제조 등에 유용하게 이용할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/18 (2006.01) C23C 16/30 (2006.01) C23C 16/56 (2006.01)
CPC C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110018455 (2011.03.02)
출원인 주식회사 케이씨씨, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1326254-0000 (2013.10.31)
공개번호/일자 10-2012-0099926 (2012.09.12) 문서열기
공고번호/일자 (20131111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.02)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이씨씨 대한민국 서울특별시 서초구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정희태 대한민국 대전광역시 유성구
2 박종민 대한민국 대전광역시 유성구
3 공병선 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이씨씨 서울특별시 서초구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0150137-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0088769-46
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0073886-02
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0158352-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0158354-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5079011-59
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0540979-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2017-5075923-28
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5221488-74
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화기체 존재하에 1:0
2 2
제1항에 있어서, 상기 알릴기가 함유된 실란 화합물은 알릴트리메틸실란(allyltrimethylsilane), 알릴트리에틸실란(allyltriethylsilane), 알릴트리메톡시실란(allyltrimethoxysilane), 알릴트리에톡시실란(allyltriethoxysilane), 알릴트리프로필실란(allyltripropylsilane), 알릴트리프로폭시실란(allyltripropoxysilane) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 저유전 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 기공형성 물질은 알릴기가 함유된 벤젠 화합물, 에폭시기가 함유된 비선형 탄화수소 화합물, 시클로헥산(cyclohexane), 톨루엔(toluene), 노보넨(norbornene), 터피넨(terpinene), 자일렌(xylene), 선형의 알켄, 비선형의 불포화 탄화수소 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저유전 박막의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 알릴기가 함유된 벤젠 화합물은 알릴벤젠(allylbenzene), 1-알릴-2-메틸벤젠(1-allyl-2-methylbenzene), 1-알릴-3-메틸벤젠(1-allyl-3-methylbenzene), 4-알릴-1,2-디메톡시벤젠(4-allyl-1,2-dimethoxybenzene), 부테닐벤젠(butenylbenzene), 펜테닐벤젠(pentenylbenzene) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 저유전 박막의 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 에폭시기가 함유된 비선형 탄화수소 화합물은 시클로헥센옥사이드(cyclohexene oxide), 시클로펜텐옥사이드(cyclopentene oxide), 시클로부텐옥사이드(cyclobutene oxide), 시클로프로펜옥사이드(cyclopropene oxide), 시클로옥텐옥사이드(cyclooctene oxide) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 저유전 박막의 제조방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 선형의 알켄은 에텐(ethene), 프로펜(propene), 부텐(butene), 펜텐(pentene), 헥센(hexene), 옥텐(octene) 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저유전 박막의 제조방법
7 7
제3항에 있어서, 상기 비선형의 불포화 탄화수소는 시클로프로펜(cyclopropene), 시클로부텐(cyclobutene), 시클로펜텐(cyclopentene), 시클로헥센(cyclohexene), 시클로옥텐(cyclooctene) 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저유전 박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 산화기체는 O2, N2O, O3, H2O2, CO2, 수증기 및 이들의 혼합기체로 선택된 것을 특징으로 하는 저유전 박막의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 화학증착은 플라즈마 증착장치를 이용하되, 상기 플라즈마 증착장치는 압력이 0
10 10
제1항에 있어서, 상기 열처리는 100 ~ 600℃에서 0
11 11
산화기체 존재하에 알릴기가 함유된 실란 화합물 및 기공형성 물질이 1:0
12 12
제11항에 있어서, 상기 알릴기가 함유된 실란 화합물은 알릴트리메틸실란(allyltrimethylsilane), 알릴트리에틸실란(allyltriethylsilane), 알릴트리메톡시실란(allyltrimethoxysilane), 알릴트리에톡시실란(allyltriethoxysilane), 알릴트리프로필실란(allyltripropylsilane), 알릴트리프로폭시실란(allyltripropoxysilane) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 저유전 박막
13 13
제11항에 있어서, 상기 기공형성 물질은 알릴기가 함유된 벤젠 화합물, 에폭시기가 함유된 비선형 탄화수소 화합물, 시클로헥산(cyclohexane), 톨루엔(toluene), 노보넨(norbornene), 터피넨(terpinene), 자일렌(xylene), 선형의 알켄, 비선형의 불포화 탄화수소 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저유전 박막
14 14
제13항에 있어서, 상기 알릴기가 함유된 벤젠 화합물은 알릴벤젠(allylbenzene), 1-알릴-2-메틸벤젠(1-allyl-2-methylbenzene), 1-알릴-3-메틸벤젠(1-allyl-3-methylbenzene), 4-알릴-1,2-디메톡시벤젠(4-allyl-1,2-dimethoxybenzene), 부테닐벤젠(butenylbenzene), 펜테닐벤젠(pentenylbenzene) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 저유전 박막
15 15
제13항에 있어서, 상기 알릴기가 함유된 벤젠 화합물은 알릴벤젠(allylbenzene), 1-알릴-2-메틸벤젠(1-allyl-2-methylbenzene), 1-알릴-3-메틸벤젠(1-allyl-3-methylbenzene), 4-알릴-1,2-디메톡시벤젠(4-allyl-1,2-dimethoxybenzene), 부테닐벤젠(butenylbenzene), 펜테닐벤젠(pentenylbenzene) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 저유전 박막
16 16
제13항에 있어서, 상기 에폭시기가 함유된 비선형 탄화수소 화합물은 시클로헥센옥사이드(cyclohexene oxide), 시클로펜텐옥사이드(cyclopentene oxide), 시클로부텐옥사이드(cyclobutene oxide), 시클로프로펜옥사이드(cyclopropene oxide), 시클로옥텐옥사이드(cyclooctene oxide) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 저유전 박막
17 17
제13항에 있어서, 상기 선형의 알켄은 에텐(ethene), 프로펜(propene), 부텐(butene), 펜텐(pentene), 헥센(hexene), 옥텐(octene) 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저유전 박막
18 18
제13항에 있어서, 상기 비선형의 불포화 탄화수소는 시클로프로펜(cyclopropene), 시클로부텐(cyclobutene), 시클로펜텐(cyclopentene), 시클로헥센(cyclohexene), 시클로옥텐(cyclooctene) 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 저유전 박막
19 19
제11항에 있어서, 상기 산화기체는 O2, N2O, O3, H2O2, CO2, 수증기 및 이들의 혼합기체로 선택된 것을 특징으로 하는 저유전 박막
20 20
제11항에 있어서, 상기 열처리는 100 ~ 600℃에서 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 주식회사 케이씨씨 한국과학기술원 KINC-KCC 산학협력과제 반도체용 초저유전율(Ultra Low-k:ULK) 소재개발