맞춤기술찾기

이전대상기술

분무열분해법을 이용한 크롬과 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015115167
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분무열분해법을 이용한 크롬과 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스트론튬, 티타늄, 크롬 및 탄탈럼 원소를 포함하는 금속 전구체 물질을 용매에 분산 또는 용해시켜 전구체 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 금속 전구체 용액을 분무열분해 장치의 분무장치에 투입하여 액적을 생성시키는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 생성된 액적을 분무열분해 장치의 반응기에 투입하고, 열처리하여 크롬 및 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 입자로 전환시키는 단계(단계 3)를 포함하는, 크롬 및 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 크롬 및 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 입자를 분무열분해법에 의해 제조함으로써 기존 고체상반응 방법에 의해 제조된 입자에 비해 입자의 다공성도가 크게 증가하고, 수소 발생 속도가 현저히 증가하며 반응 유도 기간(induction period)이 감소한 광촉매 입자를 연속 공정에 의해 제조할 수 있다.
Int. CL B01J 23/02 (2006.01) B01J 8/16 (2006.01) B01J 19/26 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01)
CPC B01J 37/082(2013.01) B01J 37/082(2013.01) B01J 37/082(2013.01) B01J 37/082(2013.01) B01J 37/082(2013.01) B01J 37/082(2013.01) B01J 37/082(2013.01)
출원번호/일자 1020110129712 (2011.12.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1339970-0000 (2013.12.04)
공개번호/일자 10-2013-0063279 (2013.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20131211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.06)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박승빈 대한민국 대전광역시 유성구
2 강현우 대한민국 대전광역시 유성구
3 송동수 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)
2 황주명 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)(특허법인 에이치엠피)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0968793-86
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0141849-60
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087044-20
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0363827-98
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0676778-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0676780-46
9 등록결정서
Decision to grant
2013.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0747307-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스트론튬, 티타늄, 크롬 및 탄탈럼 원소를 포함하는 금속 전구체 물질을 용매에 분산 또는 용해시켜 전구체 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 금속 전구체 용액을 분무열분해 장치의 분무장치에 투입하여 액적을 생성시키는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 생성된 액적을 분무열분해 장치의 반응기에 투입하고, 열처리하여 크롬 및 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 입자로 전환시키는 단계(단계 3)를 포함하는 크롬 및 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 단계 1의 금속 전구체 물질은 질산 스트론튬(Sr(NO3)2), 티타늄 이소프로폭사이드(Ti[OCH(CH3)2]4, TTIP), 질산 크롬 수화물(Cr(NO3)39H2O) 및 탄탈럼 에톡사이드(Ta(OC2H5)5)의 혼합물인 것을 특징으로 하는 크롬 및 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 단계 1에서 제조된 금속 전구체 용액의 농도는 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단계 1에서 금속 전구체 물질에 추가적으로 고분자 용액을 첨가하는 것을 특징으로 하는 크롬 및 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 고분자 용액은 시트르산과 에틸렌 글리콜의 혼합물인 것을 특징으로 하는 크롬 및 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 단계 2에서 생성된 액적은 0
7 7
제 1항에 있어서,상기 단계 3의 열처리는 500 내지 1500 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 크롬 및 탄탈럼 원소가 도핑된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국연구재단 기초과학연구사업 태양광(가시광 자외선)에 최적화된 광촉매의 제조 및 반응 특성